第一章第三代半導體相關(guān)概述

1.1　第三代半導體基本介紹

1.1.1　基礎(chǔ)概念界定

1.1.2　主要材料簡介

1.1.3　歷代材料性能

1.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展意義

1.2　第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展歷程分析

1.2.1　材料發(fā)展歷程

1.2.2　產(chǎn)業(yè)演進全景

1.2.3　產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移路徑

1.3　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈構(gòu)成及特點

1.3.1　產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)簡介

1.3.2　產(chǎn)業(yè)鏈圖譜分析

1.3.3　產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)體系

1.3.4　產(chǎn)業(yè)鏈體系分工

1.3.5　產(chǎn)業(yè)鏈聯(lián)盟建設(shè)

第二章2017-2023年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

2.1　2017-2023年全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)運行狀況

2.1.1　國際產(chǎn)業(yè)格局

2.1.2　市場規(guī)模增長

2.1.3　市場結(jié)構(gòu)分析

2.1.4　研發(fā)項目規(guī)劃

2.1.5　應(yīng)用領(lǐng)域格局

2.2　美國

2.2.1　研發(fā)支出規(guī)模

2.2.2　產(chǎn)業(yè)技術(shù)優(yōu)勢

2.2.3　技術(shù)創(chuàng)新中心

2.2.4　技術(shù)研發(fā)動向

2.2.5　戰(zhàn)略層面部署

2.3　日本

2.3.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展計劃

2.3.2　研究成果豐碩

2.3.3　封裝技術(shù)聯(lián)盟

2.3.4　照明領(lǐng)域狀況

2.3.5　研究領(lǐng)先進展

2.4　歐盟

2.4.1　研發(fā)項目歷程

2.4.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)

2.4.3　前沿企業(yè)格局

2.4.4　未來發(fā)展熱點

第三章2017-2023年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境PEST分析

3.1　政策環(huán)境（Political）

3.1.1　中央部委政策支持

3.1.2　地方政府扶持政策

3.1.3　材料領(lǐng)域?qū)ｍ椧?guī)劃

3.1.4　貿(mào)易關(guān)稅摩擦影響

3.2　經(jīng)濟環(huán)境（Economic）

3.2.1　宏觀經(jīng)濟概況

3.2.2　工業(yè)運行情況

3.2.3　經(jīng)濟轉(zhuǎn)型升級

3.2.4　未來經(jīng)濟展望

3.3　社會環(huán)境（Social）

3.3.1　社會教育水平

3.3.2　人口規(guī)模與構(gòu)成

3.3.3　產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)演進

3.3.4　技術(shù)人才儲備

3.4　技術(shù)環(huán)境（Technological）

3.4.1　專利技術(shù)構(gòu)成

3.4.2　科技計劃專項

3.4.3　國際技術(shù)成熟

3.4.4　產(chǎn)業(yè)技術(shù)聯(lián)盟

第四章2017-2023年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

4.1　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特點

4.1.1　企業(yè)以IDM模式為主

4.1.2　制備工藝不追求dj

4.1.3　襯底和外延是關(guān)鍵環(huán)節(jié)

4.1.4　各國政府高度重視發(fā)展

4.1.5　國際ltqy加緊布局

4.1.6　軍事用途導致技術(shù)禁運

4.2　2017-2023年中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展運行綜述

4.2.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

4.2.2　產(chǎn)業(yè)整體產(chǎn)值

4.2.3　產(chǎn)業(yè)產(chǎn)線規(guī)模

4.2.4　產(chǎn)業(yè)供需狀態(tài)

4.2.5　產(chǎn)業(yè)成本趨勢

4.2.6　產(chǎn)業(yè)應(yīng)用前景

4.2.7　未來發(fā)展趨勢

4.3　2017-2023年中國第三代半導體市場發(fā)展狀況分析

4.3.1　市場發(fā)展規(guī)模

4.3.2　細分市場結(jié)構(gòu)

4.3.3　企業(yè)競爭格局

4.3.4　重點企業(yè)介紹

4.3.5　產(chǎn)品發(fā)展動力

4.4　2017-2023年中國第三代半導體上游原材料市場發(fā)展分析

4.4.1　上游金屬硅產(chǎn)能擴張

4.4.2　上游金屬硅價格走勢

4.4.3　上游氧化鋅市場需求

4.4.4　上游材料產(chǎn)業(yè)鏈布局

4.4.5　上游材料競爭狀況分析

4.5　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題分析

4.5.1　產(chǎn)業(yè)發(fā)展問題

4.5.2　市場推進難題

4.5.3　技術(shù)發(fā)展挑戰(zhàn)

4.5.4　城市競爭激烈

4.5.5　材料發(fā)展挑戰(zhàn)

4.6　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展建議及對策

4.6.1　建設(shè)產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟

4.6.2　加強企業(yè)培育

4.6.3　集聚產(chǎn)業(yè)人才

4.6.4　推動應(yīng)用示范

4.6.5　材料發(fā)展思路

第五章2017-2023年第三代半導體氮化鎵（GaN）材料及器件發(fā)展分析

5.1　GaN材料基本性質(zhì)及制備工藝發(fā)展狀況

5.1.1　GaN結(jié)構(gòu)性能

5.1.2　GaN制備工藝

5.1.3　GaN材料類型

5.1.4　技術(shù)專利發(fā)展

5.1.5　技術(shù)發(fā)展趨勢

5.2　GaN材料市場發(fā)展概況分析

5.2.1　市場發(fā)展規(guī)模

5.2.2　材料價格走勢

5.2.3　應(yīng)用市場結(jié)構(gòu)

5.2.4　應(yīng)用市場預測

5.2.5　市場競爭格局

5.3　GaN器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

5.3.1　器件產(chǎn)品類別

5.3.2　GaN晶體管

5.3.3　射頻器件產(chǎn)品

5.3.4　射頻模塊產(chǎn)品

5.3.5　GaN光電器件

5.3.6　電力電子器件

5.4　GaN器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況

5.4.1　電子電力器件應(yīng)用

5.4.2　高頻功率器件應(yīng)用

5.4.3　器件應(yīng)用發(fā)展狀況

5.4.4　應(yīng)用實現(xiàn)條件與對策

5.5　GaN器件發(fā)展面臨的挑戰(zhàn)

5.5.1　器件技術(shù)難題

5.5.2　電源技術(shù)瓶頸

5.5.3　風險控制建議

第六章2017-2023年第三代半導體碳化硅（SiC）材料及器件發(fā)展分析

6.1　SiC材料基本性質(zhì)與制備技術(shù)發(fā)展狀況

6.1.1　SiC性能特點

6.1.2　SiC制備工藝

6.1.3　SiC產(chǎn)品類型

6.1.4　單晶技術(shù)專利

6.1.5　制備技術(shù)布局

6.2　SiC材料市場發(fā)展概況分析

6.2.1　材料價格走勢

6.2.2　材料市場規(guī)模

6.2.3　市場應(yīng)用結(jié)構(gòu)

6.2.4　市場競爭格局

6.2.5　企業(yè)研發(fā)布局

6.3　SiC器件及產(chǎn)品研發(fā)情況

6.3.1　器件產(chǎn)品現(xiàn)狀

6.3.2　電力電子器件

6.3.3　功率模塊產(chǎn)品

6.3.4　產(chǎn)品發(fā)展趨勢

6.4　SiC器件應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展情況

6.4.1　應(yīng)用整體技術(shù)路線

6.4.2　電網(wǎng)應(yīng)用技術(shù)路線

6.4.3　電力牽引應(yīng)用技術(shù)路線

6.4.4　電動汽車應(yīng)用技術(shù)路線

6.4.5　家用電器和消費類電子應(yīng)用

第七章第三代半導體其他材料發(fā)展狀況分析

7.1?、笞宓锇雽w材料發(fā)展分析

7.1.1　基礎(chǔ)概念介紹

7.1.2　材料結(jié)構(gòu)性能

7.1.3　材料制備工藝

7.1.4　主要器件產(chǎn)品

7.1.5　應(yīng)用發(fā)展狀況

7.1.6　發(fā)展建議對策

7.2　寬禁帶氧化物半導體材料發(fā)展分析

7.2.1　基本概念介紹

7.2.2　材料結(jié)構(gòu)性能

7.2.3　材料制備工藝

7.2.4　主要應(yīng)用器件

7.3　氧化鎵（Ga2O3）半導體材料發(fā)展分析

7.3.1　材料結(jié)構(gòu)性能

7.3.2　材料制備工藝

7.3.3　主要技術(shù)發(fā)展

7.3.4　器件應(yīng)用發(fā)展

7.3.5　未來發(fā)展趨勢

7.4　金剛石半導體材料發(fā)展分析

7.4.1　材料結(jié)構(gòu)性能

7.4.2　襯底制備工藝

7.4.3　主要器件產(chǎn)品

7.4.4　應(yīng)用發(fā)展狀況

7.4.5　未來發(fā)展前景

第八章2017-2023年第三代半導體下游應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展分析

8.1　第三代半導體下游產(chǎn)業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展概況

8.1.1　下游產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)布局

8.1.2　下游產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢特點

8.1.3　下游產(chǎn)業(yè)需求旺盛

8.2　2017-2023年電子電力領(lǐng)域發(fā)展狀況

8.2.1　全球市場發(fā)展規(guī)模

8.2.2　國內(nèi)市場發(fā)展規(guī)模

8.2.3　器件市場分布狀況

8.2.4　器件廠商布局分析

8.2.5　器件產(chǎn)品價格走勢

8.2.6　應(yīng)用市場發(fā)展規(guī)模

8.3　2017-2023年微波射頻領(lǐng)域發(fā)展狀況

8.3.1　射頻器件市場規(guī)模

8.3.2　射頻器件市場結(jié)構(gòu)

8.3.3　射頻器件市場占比

8.3.4　射頻器件價格走勢

8.3.5　國防基站應(yīng)用規(guī)模

8.3.6　移動通信基站帶動

8.3.7　jy射頻器件市場

8.4　2017-2023年半導體照明領(lǐng)域發(fā)展狀況

8.4.1　行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

8.4.2　行業(yè)發(fā)展規(guī)模

8.4.3　應(yīng)用市場分布

8.4.4　應(yīng)用發(fā)展趨勢

8.4.5　照明技術(shù)突破

8.4.6　照明發(fā)展方向

8.5　2017-2023年激光器與探測器應(yīng)用發(fā)展狀況

8.5.1　市場規(guī)?，F(xiàn)狀

8.5.2　應(yīng)用研發(fā)現(xiàn)狀

8.5.3　激光器應(yīng)用發(fā)展

8.5.4　探測器應(yīng)用發(fā)展

8.5.5　未來發(fā)展趨勢

8.6　2017-2023年5G通訊領(lǐng)域發(fā)展狀況

8.6.1　市場發(fā)展規(guī)模

8.6.2　賦能射頻產(chǎn)業(yè)

8.6.3　應(yīng)用發(fā)展方向

8.6.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

8.7　2017-2023年新能源汽車領(lǐng)域發(fā)展狀況

8.7.1　行業(yè)市場規(guī)模

8.7.2　應(yīng)用市場規(guī)模

8.7.3　市場需求預測

8.7.4　SiC應(yīng)用示范

第九章2017-2023年第三代半導體材料產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展分析

9.1　2017-2023年第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展概況

9.1.1　產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布

9.1.2　重點區(qū)域建設(shè)

9.2　京津翼地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.2.1　北京產(chǎn)業(yè)政策扶持

9.2.2　北京產(chǎn)業(yè)基地發(fā)展

9.2.3　保定檢測平臺落地

9.2.4　應(yīng)用聯(lián)合創(chuàng)新基地

9.2.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.3　中西部地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.3.1　四川產(chǎn)業(yè)政策歷程

9.3.2　重慶相關(guān)領(lǐng)域態(tài)勢

9.3.3　陜西產(chǎn)業(yè)項目規(guī)劃

9.4　珠三角地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.4.1　廣東產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局

9.4.2　深圳產(chǎn)業(yè)園區(qū)規(guī)劃

9.4.3　東莞基地發(fā)展建設(shè)

9.4.4　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.5　華東地區(qū)第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

9.5.1　江蘇產(chǎn)業(yè)發(fā)展概況

9.5.2　蘇州產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟聚集

9.5.3　山東產(chǎn)業(yè)布局動態(tài)

9.5.4　福建產(chǎn)業(yè)支持政策

9.5.5　區(qū)域未來發(fā)展趨勢

9.6　第三代半導體產(chǎn)業(yè)區(qū)域發(fā)展建議

9.6.1　提高資源整合效率

9.6.2　補足SiC領(lǐng)域短板

9.6.3　開展關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)

9.6.4　鼓勵地方加大投入

第十章第三代半導體產(chǎn)業(yè)重點企業(yè)經(jīng)營狀況分析

10.1　三安光電

10.1.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.1.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.1.3　財務(wù)狀況分析

10.1.4　核心競爭力分析

10.1.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.1.6　未來前景展望

10.2　北京耐威科技

10.2.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.2.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.2.3　財務(wù)狀況分析

10.2.4　核心競爭力分析

10.2.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.2.6　未來前景展望

10.3　華潤微電子

10.3.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.3.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.3.3　財務(wù)狀況分析

10.3.4　核心競爭力分析

10.3.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.3.6　未來前景展望

10.4　湖北臺基半導體

10.4.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.4.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.4.3　財務(wù)狀況分析

10.4.4　核心競爭力分析

10.4.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.4.6　未來前景展望

10.5　無錫新潔能

10.5.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.5.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.5.3　財務(wù)狀況分析

10.5.4　核心競爭力分析

10.5.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.5.6　未來前景展望

10.6　華燦光電

10.6.1　企業(yè)發(fā)展概況

10.6.2　業(yè)務(wù)經(jīng)營分析

10.6.3　財務(wù)狀況分析

10.6.4　核心競爭力分析

10.6.5　公司發(fā)展戰(zhàn)略

10.6.6　未來前景展望

第十一章第三代半導體產(chǎn)業(yè)投資價值綜合評估

11.1　行業(yè)投資背景

11.1.1　行業(yè)投資現(xiàn)狀

11.1.2　投資市場周期

11.1.3　行業(yè)投資機會

11.1.4　行業(yè)投資前景

11.2　行業(yè)投融資情況

11.2.1　國際投資案例

11.2.2　國內(nèi)投資案例

11.2.3　國際企業(yè)并購

11.2.4　國內(nèi)企業(yè)并購

11.3　行業(yè)投資壁壘

11.3.1　技術(shù)壁壘

11.3.2　資金壁壘

11.3.3　貿(mào)易壁壘

11.4　行業(yè)投資風險

11.4.1　企業(yè)經(jīng)營風險

11.4.2　技術(shù)迭代風險

11.4.3　行業(yè)競爭風險

11.4.4　產(chǎn)業(yè)政策變化風險

11.5　行業(yè)投資建議

11.5.1　積極把握5G通訊市場機遇

11.5.2　收購企業(yè)實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破

11.5.3　關(guān)注新能源汽車催生需求

11.5.4　國內(nèi)企業(yè)向IDM模式轉(zhuǎn)型

11.5.5　加強高校與科研院所合作

11.6　投資項目案例

11.6.1　項目基本概述

11.6.2　投資價值分析

11.6.3　建設(shè)內(nèi)容規(guī)劃

11.6.4　資金需求測算

11.6.5　實施進度安排

11.6.6　經(jīng)濟效益分析

第十二章2023-2029年第三代半導體產(chǎn)業(yè)前景與趨勢預測

12.1　第三代半導體未來發(fā)展前景與趨勢

12.1.1　應(yīng)用領(lǐng)域展望

12.1.2　產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇

12.1.3　重要發(fā)展窗口期

12.1.4　產(chǎn)業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略

12.2　2023-2029年第三代半導體產(chǎn)業(yè)預測分析

12.2.1　2023-2029年中國第三代半導體影響因素分析

12.2.2　2023-2029年中國第三代半導體市場規(guī)模預測

12.2.3　2023-2029年中國第三代半導體市場結(jié)構(gòu)預測(BY ZX)

附錄：

附錄一：關(guān)于促進中關(guān)村順義園第三代半導體等前沿半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干措施

附錄二：“十四五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項規(guī)劃

圖表目錄

圖表　不同半導體材料性能比較（一）

圖表　不同半導體材料性能比較（二）

圖表　碳化硅、氮化鎵的性能優(yōu)勢

圖表　半導體材料發(fā)展歷程及現(xiàn)狀

圖表　第三代半導體產(chǎn)業(yè)演進示意圖

圖表　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈

圖表　第三代半導體襯底制備流程

圖表　第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈全景圖

圖表　第三代半導體健康的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系

圖表　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（一）

圖表　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（二）

圖表　中國第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟成員（三）

圖表　世界各國第三代半導體產(chǎn)業(yè)布局

圖表　全球第三代半導體產(chǎn)業(yè)格局

圖表　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（一）

圖表　美國下一代功率電子技術(shù)國家制造業(yè)創(chuàng)新中心組成成員（二）

圖表　日本下一代功率半導體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（一）

圖表　日本下一代功率半導體封裝技術(shù)開發(fā)聯(lián)盟成員（二）

圖表　歐洲LAST POWER產(chǎn)學研項目成員

圖表　2023年國家部委關(guān)于集成電路產(chǎn)業(yè)的扶持政策匯總

圖表　襯底研發(fā)重點企業(yè)盤點

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