KRI 考夫曼 KDC 10
上海伯東代理美國(guó)原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼 KDC 10: 考夫曼型 Gridded 系列最小型號(hào)的. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時(shí)離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 低損傷, 寬束設(shè)計(jì), 低成本等優(yōu)點(diǎn)廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標(biāo)準(zhǔn)配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 10mA.

KRI 考夫曼 KDC 10 技術(shù)參數(shù)
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型號(hào)
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KDC 10
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供電
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DC magnetic confinement
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- 陰極燈絲
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1
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- 陽(yáng)極電壓
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0-100V DC
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- 柵極直徑
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1cm
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中和器
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燈絲
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電源控制
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KSC 1202
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配置
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-
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- 陰極中和器
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Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000
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- 架構(gòu)
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移動(dòng)或快速法蘭
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- 高度
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4.5'
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- 直徑
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1.52'
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- 離子束
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集中
平行
散設(shè)
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-加工材料
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金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體
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-工藝氣體
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惰性
活性
混合
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-安裝距離
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2-12”
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- 自動(dòng)控制
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控制4種氣體
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KRI 考夫曼 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE