另一方面，國內(nèi)應(yīng)對(duì)政策充足，且隨時(shí)待發(fā)。中國光伏產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能巨大，涉及各地政府、銀行、就業(yè)群體等關(guān)鍵方，“救市”幾乎是政府的必然選擇——方法主要為兩種：一是以提高補(bǔ)貼等方式擴(kuò)大國內(nèi)市場需求，二是對(duì)海外多晶硅等產(chǎn)品采取“報(bào)i復(fù)”措施，在被“關(guān)門”之時(shí)國內(nèi)政策發(fā)力的概率很高。

另一方面，中國和歐盟之間的談判依然有變數(shù)，如果雙方都實(shí)施反傾銷的話，會(huì)使得價(jià)格上漲；然而，如果雙方都沒有相應(yīng)措施，多晶硅價(jià)格就不可能上升太多，而新能源發(fā)展的出路在于價(jià)格逐步走低，最終低于傳統(tǒng)能源才有真正存在的價(jià)值。

高純多晶硅是電子工業(yè)和太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)原料，在未來的50年里，還不可能有其他材料能夠替代硅材料而成為電子和光伏產(chǎn)業(yè)主要原材料。

太陽能多晶硅鑄錠爐是制造大批量、高品質(zhì)多晶硅鑄錠的必備設(shè)備，在設(shè)計(jì)上主要采用國際主流的電阻加熱方式，結(jié)合先進(jìn)的計(jì)算機(jī)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定定向凝固。設(shè)備主要有真空爐體、加熱隔熱系統(tǒng)、電源供應(yīng)與控制系統(tǒng)、真空與供氣系統(tǒng)、水冷卻系統(tǒng)、鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)及樓梯部件組成。2007年率先在工藝技術(shù)和制造技術(shù)領(lǐng)域取得了創(chuàng)新突破，并取得了20多項(xiàng)發(fā)明和實(shí)用新型專利，系國內(nèi)首臺(tái)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)銷售的成熟產(chǎn)品。新一代JJL1T型太陽能多晶硅鑄錠爐各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)

均達(dá)到世界先進(jìn)水平。

JJL系列多晶硅鑄錠爐是專為太陽能工業(yè)設(shè)計(jì)的，主要采用國際主流的電阻加熱方式，結(jié)合先進(jìn)的計(jì)算機(jī)控制技術(shù)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定定向凝固，是制造大批量、高品質(zhì)多晶硅硅錠的必備設(shè)備。

多晶硅鑄錠生長爐工作順序分：加熱、熔化、長晶、退火、冷卻等步驟。掌握關(guān)鍵技術(shù)，就擁有了核心競爭力，精功科技注重技術(shù)開發(fā)和應(yīng)用，引入先進(jìn)的技術(shù)測試體系，確保技術(shù)成熟和穩(wěn)定，如今，公司已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域獲得了20多項(xiàng)發(fā)明和實(shí)用新型專利。

鑄造多晶硅的光致衰減研究

本文采用鹵燈光照，微波光電導(dǎo)衰減儀（MWPCD）測試對(duì)鑄造多晶硅的光 致衰減進(jìn)行了研究。首先比較了鑄造多晶硅與CZ單晶硅的衰減，前者衰減更小，較高含量的碳是一個(gè)主要原因，另外由于FeB 的分解，光照開始階段會(huì)有壽命的上升。鑄造多晶硅同一晶錠不同部位的樣品中，底部衰減的最多，頂部最i小。同一大片中選取缺陷密度不同的區(qū)域，衰減的差別不大。磷吸雜后衰減減少到原生片的1/3-1/2。鑄造多晶硅的光致衰減主要與氧濃度高低有關(guān)，高含量的碳抑制了衰減，吸雜的高溫處理比較有效地減少了衰 減。