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25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電元件:工廠在加工時(shí)沒(méi)改變?cè)牧戏肿映煞值漠a(chǎn)品可稱為元件，元件屬于不需電子元器件要能源的器件。它包括:電阻、電容、電感。(又稱為被動(dòng) 元件passive components) 電子的單向作用場(chǎng)性質(zhì)在物理的范圍內(nèi)失效，因?yàn)槲锢淼狞c(diǎn)電荷概念包含了成千上萬(wàn)的電子（負(fù)電）或質(zhì)子（正電）。在物理中點(diǎn)電荷的電場(chǎng)是大量電子或離子的總體效應(yīng)，是滿足矢量疊加的矢量場(chǎng)。 4性質(zhì)特征編輯電子塊頭小重量輕（比μ介子還輕205倍)，被歸在亞原子粒子中的輕子類。輕子是物質(zhì)被劃分的作為基本粒子的一類。電子帶有二分之一自旋，滿足費(fèi)米子的條件（按照費(fèi)米-狄拉克統(tǒng)計(jì)）。電子所帶電荷約為-1.6×10-19庫(kù)侖，質(zhì)量為9.10×10-31kg（0.51mev/c2）。通常被說(shuō)為e-。與電子電性相反的粒子被稱為正電子，它帶有與電子相同的質(zhì)量，自旋和等量的正電荷。電子在原子內(nèi)做繞核運(yùn)動(dòng)， 越大距核運(yùn)動(dòng)的軌跡越遠(yuǎn)，有電子運(yùn)動(dòng)的空間叫電子層，層多可有2個(gè)電子。層多可以有8個(gè)， n層多可容納2n2個(gè)電子，外層多容納8個(gè)電子。后一層的電子數(shù)量決定物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)是否活潑，1、2、3電子為金屬元素，4、5、6、7為非金屬元素，8為稀有氣體元素。物質(zhì)的電子可以失去也可以得到，物質(zhì)具有得電子的性質(zhì)叫做氧化性，該物質(zhì)為氧化劑；物質(zhì)具有失電子的性質(zhì)叫做還原性，該物質(zhì)為還原劑。物質(zhì)氧化性或還原性的強(qiáng)弱由得失電子難易決定，與得失電子多少無(wú)關(guān)。在一些非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如相變存儲(chǔ)器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲(chǔ)器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲(chǔ)器（resistive memory；rram）等技術(shù)已蓄勢(shì)待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲(chǔ)器，屆時(shí)電腦與軟體結(jié)構(gòu)將會(huì)出現(xiàn) 為劇烈的變動(dòng)。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導(dǎo)體電路所設(shè)計(jì)的nand flash非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，隨著flash制程技術(shù)不斷進(jìn)化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機(jī)、嵌入式裝置與工控應(yīng)用上大量普及。 STB14NK60ZT4 STFW4N150 L7815CD2T-TR STD3NK50ZT4 STP6N95K5 STN3NF06L STD5N20LT4 VND7NV04TR-E VNP35N07-E STD3N62K3 STW38N65M5 STB23N80K5 STB4NK60ZT4 STF13N60M2 VNB10N07-E VND5N07TR-E VNP35N07-E VNP5N07-E VND7NV04TR-E STD3N62K3 VND7N04TR-E VNP20N07-E
