廣告
某微電子制造商采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 濺射沉積硅片金屬薄膜.
伯東 KRI RFICP220 技術(shù)參數(shù):
|
型號(hào) |
RFICP220 |
|
Discharge |
RFICP 射頻 |
|
離子束流 |
>800 mA |
|
離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
|
柵極直徑 |
20 cm Φ |
|
離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
|
流量 |
10-40 sccm |
|
通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
|
典型壓力 |
< 0.5m Torr |
|
長(zhǎng)度 |
30 cm |
|
直徑 |
41 cm |
|
中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
.jpg)
磁控濺射法制備鋁膜是微電子工藝制備金屬薄膜最常用的工藝之一, 然而在使用磁控濺射設(shè)備制備鋁膜時(shí), 往往會(huì)發(fā)現(xiàn)調(diào)用同一個(gè)工藝菜單, 制備出的鋁膜厚度會(huì)有所不同, 相差接近40%. 這對(duì)于制備高精度膜厚的鋁膜具有嚴(yán)重的影響.
KRI 的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 為了提高硅片金屬薄膜的均勻性，該制造才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
伯東是德國(guó) , , , , 美國(guó) , 美國(guó)HVA 真空閥門(mén), 美國(guó) , 美國(guó) Ambrell 和日本 NS 等進(jìn)口品牌的指定代理商.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)信息或討論, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式:
上海伯東: 羅先生 臺(tái)灣伯東: 王女士
T: +86-21-5046-1322 T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490 F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076 M: +886-939-653-958
伯東版權(quán)所有, 翻拷必究!
