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回收SAMSUNG隔離恒溫電源IC 181+2470一起1558 微芯同號 flash閃存是非易失存儲器,可以對稱為塊的存儲器單元塊進行擦寫和再編程。flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進行,所以大多數(shù)情況下,在進行寫入操作之前 先執(zhí)行擦除。nand器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的,而nor則要求在進行擦除前先要將目標塊內(nèi)所有的位都寫為1。
由于擦除nor器件時是以64～128kb的塊進行的,執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s,與此相反,擦除nand器件是以8～32kb的塊進行的,執(zhí)行相同的操作多只需要4ms。
執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進一步拉大了nor和nadn之間的性能差距,統(tǒng)計表明,對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時), 的擦除操作 在基于nor的單元中進行。這樣,當選擇存儲解決方案時, 權(quán)衡以下的各項因素。
● nor的讀速度比nand稍快一些。
● nand的寫入速度比nor快很多。
● nand的4ms擦除速度遠比nor的5s快。
● 大多數(shù)寫入操作需要行擦除操作。
● nand的擦除單元更小,相應(yīng)的擦除電路更少。
性