回收ELITECHIP微控制器芯片 181+2470一起1558 微芯同號 nor和nand是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。
在1984年,東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點是nvm,其記錄速度也非???。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年,公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小,并被內(nèi)嵌于一個錄音機里,intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù),并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制,并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ,它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半,在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn),它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu),存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行(一頁包含若干字節(jié),若干頁則組成儲存塊, nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ),這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大,超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍, nand 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢,它的 i/o 端口只有 8 個,比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,性較 nor 閃存要差。