電容的符號是C，在國際單位制里，電容的單位是法拉，簡稱法，符號是F，由于法拉這個單位太大，所以常用的電容單位有毫法（mF）、微法（μF）、納法（nF）和皮法（pF）等，換算關系如下

1法拉（F） = 1000毫法（mF） = 1000000微法（μF）；

1微法（μF） = 1000納法（nF） = 1000000皮法（pF）。

1．標稱容值與誤差

電容量即電容加上電荷后儲存電荷的能力大小。電容量誤差是指其實際容量與標稱容量間的偏差，通常有±10%、±20%，用在射頻電路中PI匹配中的電容±0.5%、±0.75%的小誤差電容。

2．額定電壓

額定工作電壓是該電容器在電路中能夠長期可靠地工作而不被擊穿所能承受的{zd0}直流電壓（又稱耐壓）。它與電容器的結(jié)構(gòu)、介質(zhì)材料和介質(zhì)的厚度有關，一般來說，對于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)相同，容量相等的電容器，其耐壓值越高，體積也越大。

當在電容器的兩極板間施加電壓之后，極板間的電解質(zhì)便處于電場中，本來是中性的電介質(zhì)，由于外電場力的作用，介質(zhì)分子內(nèi)的正負電荷將在空間位置上發(fā)生少許偏移（如負電荷逆電場方向移動），形成所謂的電偶極子，也就是介質(zhì)內(nèi)部出現(xiàn)了電場，破壞了原來的電中性狀態(tài)。這種現(xiàn)象叫做電解質(zhì)的極化。可見，極化狀態(tài)下的介質(zhì)是帶負電荷的，但這些電荷依然受介質(zhì)本身的束縛而不能自由移動，介質(zhì)的絕緣性能尚未遭到破壞，只有少數(shù)電荷脫離束縛而形成很小的漏電流。如果外加電壓不斷加強，將使極化電荷大量脫離束縛，引起漏電流大大增加，于是介質(zhì)的絕緣性能遭到破壞，使兩個極板短接，wq喪失電容的作用。這種現(xiàn)象稱為介質(zhì)擊穿。介質(zhì)擊穿之后，電容器被毀壞。因此電容器的工作電壓要有一定限制，不能隨意增加。

3．溫度系數(shù)

電容器電容量隨溫度變化的大小用溫度系數(shù)（在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1℃，電容量的相對變化值）來表示，這一點和電阻是一樣一樣的。

4．絕緣電阻

電容器漏電的大小用絕緣電阻來衡量。電容器漏電越小越好，也就是絕緣電阻越大越好。一般小電容器的絕緣電阻很大，可達幾百兆歐或幾千兆歐。電解電容器的絕緣電阻一般較小。

5．損耗

在電場作用下，電容器單位時間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量叫電容器的損耗。 理想電容器在電路中不應消耗能量，但在實際上，電容器或多或少都要消耗能量，其能量消耗主要由介質(zhì)損耗和金屬部分的損耗組成，通常用損耗角正切值來表示。

6．頻率特性

電容器的頻率特性通常是指電容器的電參數(shù)（如電容量、損耗角正切值等）隨電場頻率而變化的性質(zhì)。在高頻下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時比低頻時小，因此電容量將相應地減小。與此同時，它的損耗將隨頻率的升高而增加。此外在高頻工作時，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片接觸電阻，極片的自身電感，引線電感等，都將影響電容器的性能，由于這些因素的影響，使得電容器的使用頻率受到限制。

7．介質(zhì)

參數(shù)描述了電容采用的電介質(zhì)材料類別，溫度特性以及誤差等參數(shù)，不同的值也對應著一定的電容容量的范圍。比如

X7R常用于容量為3300pF~0.33uF的電容，這類電容適用于濾波，耦合等場合，電介質(zhì)常數(shù)比較大，當溫度從0°C變化為70°C時，電容容量的變化為±15%；

Y5P與Y5V常用于容量為150pF~2nF的電容，溫度范圍比較寬，隨著溫度變化，電容容量變化范圍為±10%或者+22%/-82%。

對于其他的編碼與溫度特性的關系，大家可以參考表4-1。例如，X5R的意思就是該電容的正常工作溫度為-55°C~+85°C，對應的電容容量變化為±15%

8．封裝尺寸

主要針對貼片式電容，封裝和電阻的封裝大小一樣。