東莞市鼎偉靶材有限公司是專業(yè)生產(chǎn)純金屬材料,蒸鍍膜材料以及濺射靶材的技術(shù)企業(yè)應(yīng)用的科技型民營(yíng)股份制工貿(mào)有限公司。公司以青島大學(xué)和青島科技大學(xué)蒸材料專業(yè)為技術(shù)依托,擁有多名中級(jí)專業(yè)技術(shù)人員和專業(yè)化應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室,有很強(qiáng)的蒸材料能力。公司先后研的蒸材料、濺射靶材系列產(chǎn)品廣泛應(yīng)用到國(guó)內(nèi)外眾多知名子、太陽(yáng)能企業(yè)當(dāng)中,以較的價(jià)比,成功替代了國(guó)外進(jìn)口產(chǎn)品,頗受用戶好評(píng)。
伊春鉑金靶材
東莞市鼎偉靶材有限公司
聯(lián)系人:肖先生
手機(jī):18681059472
話:0769-88039551
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地址:東莞市南城區(qū)民間金融大廈
公司主要經(jīng)營(yíng)產(chǎn)品:
一、真空鍍膜材料
1.純真空濺射靶材(99.9%——99.999%)
純金屬靶材:鋯靶Zr、鉻靶Cr、鈦靶Ti、鋁靶Al、錫靶Sn、釩靶V、銻靶Sb、銦靶、硼靶B、鎢靶W、錳靶Mn、鉍靶Bi、銅靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、鉭靶 Ta、鋅靶Zn、鎂靶Mg、鈮靶Nb、鉬靶Mo、鈷靶Co、鐵靶Fe、鍺靶Ge、鉿靶Hf、鉛靶Pb、鎳靶Ni、銀靶Ag、硒靶Se、鈹靶Be、碲靶Te、不銹鋼靶材S.S等……
多元合金靶材: 鈦鋁靶Ti-Al、鈦鋯靶Ti-Zr、鈦硅靶Ti-Si、鈦鎳靶Ti-Ni、鎳鉻靶Ni-Gr、鎳鋁靶Ni-Al、鎳釩靶Ni-V、鎳鐵靶Ni-Fe、鐵鈷靶Fe-Co、鋁硅靶Al-Si、鈦硅靶Ti-Si、鉻硅靶Cr-Si、鋅鋁靶Zn-Al、鈦鋅靶材Ti-Zn、鋁硅銅靶Al-Si-Cu等……
陶瓷濺射靶材:ITO靶、單晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化鈦靶TiO2、氧化鋯靶ZrO2、二硼化鈦靶TiB2、氧化鎂靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二釔靶Y2O3、五氧化二釩靶V2O5、氧化鋅靶ZnO、硫化鋅靶ZnS、硫化鉬靶MoS、硫化鎢靶WS、氧化鋅鋁靶ZAO、氧化鋁靶Al2O3、鈦酸鍶靶SrTiO3、五氧化二鉭靶Ta2O5、五氧化二鈮靶Nb2O5、氧化鋅鎵靶ZGO、氧化鋅硼靶ZBO、砷化鎵靶GaAs,磷化鎵靶GaP,硒化鋅靶、錳酸鋰靶、鎳鈷酸鋰靶、鉭酸鋰靶,鈮酸鋰靶、等…
稀土金屬靶:鑭靶、鈰靶、鐠靶、釹靶、釤靶、銪靶、釓靶、鋱靶、鏑靶、鈥靶、鉺靶、銩靶、鐿靶、镥靶、釔靶等…
稀土氧化物靶:氧化鑭靶、氧化鈰靶、氧化鐠靶、氧化釤靶、氧化銪靶、氧化釹靶、氧化釓靶、氧化鋱靶、氧化鏑靶、氧化鈥靶、氧化鉺靶、氧化銩靶、氧化鐿靶、氧化镥靶
金屬膜阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu濺射靶材:
金屬膜阻器用靶材括阻系列(ZYG)、中阻系列(ZYZ)和低阻系列(ZYC)、超低阻系列(ZYCD)。
2.純光學(xué)鍍膜材料(99.99%——99.999%)
氧化物:一氧化硅、二氧化硅、一氧化鈦、二氧化鈦、三氧化二鈦、五氧化三鈦、二氧化鋯、二氧化鉿、二氧化鈰、二鈦酸鐠、三氧化鎢、五氧化二鉭、五氧化二鈮、三氧化二鈧、三氧化二鋁、三氧化二銦、氧化鐿、氧化鋅、氧化鎂、氧化釓、氧化釤、氧化釹、氧化鈣、氧化鐠、氧化鉍、氧化鉻、氧化鎳、氧化銅、氧化鐵、氧化釩等…
氟化物:氟化鎂、氟化鈣、氟化釹、氟化鑭、氟化鐿、氟化釔、氟化鉺、氟化釤、氟化鏑、氟化鈰、氟化鋇、氟化鍶、氟化鉀、氟化鈉等…
硫化物:硫化鋅、硫化鉬、硫化鈣、硫化銻、硫化鐵、硫化鈉等…




純鉑:鉑靶、鉑粒、鉑絲、鉑極、鉑片、鉑粉
純度:3N 、3N5、4N、4N5、5NT18937853784(不是聯(lián)系方式)
規(guī)格:鉑靶(平面圓靶,方靶,旋轉(zhuǎn)靶,臺(tái)階靶均可加工,規(guī)格戶要求定做) 鉑粒(規(guī)格Φ2*5mm,Φ2*10mm,其他規(guī)格定做)
鉑絲(Φ0.2mm、Φ0.3mm、Φ0.5mm、Φ1mm其他規(guī)格定做)
鉑片(根據(jù)戶要求定做)
鉑粉(根據(jù)戶要求定做)


半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材是靶材市場(chǎng)的主要組 成之一。在1991年的靶材市場(chǎng)銷售額中,有約’"60%為半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材,35%用于記錄介質(zhì)領(lǐng) 域,5%為顯示領(lǐng)域用靶材及其他。近年來(lái),半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用靶材以近10%的年長(zhǎng)率長(zhǎng)[ 在硅片制成各種晶體管、二極管等元器件后,根據(jù)路設(shè)計(jì)要求,將這些元器件用金屬薄膜線條連接起來(lái),形成有各種功能的集成路的工藝稱為金屬化。金屬化工藝是硅集成路制造工藝中非常重要的環(huán)節(jié)。金屬化系統(tǒng)和金屬化工藝的優(yōu)劣 會(huì)影響路的能和可靠。
氧化鋯陶瓷
濺射靶材
黃金靶材
工業(yè)陶瓷
靶材廠家
靶材
氧化鋯陶瓷棒
機(jī)械陶瓷配件
子槍燈絲
【原創(chuàng)內(nèi)容】
平整度,同時(shí)確保O型密封圈始終在位置。四、短路及密封檢查靶材完成安裝后需要對(duì)整個(gè)陰極進(jìn)行短路檢查及密封檢查,建議通過(guò)使用阻儀搖表的方式對(duì)陰極是否存在短是無(wú)氧銅,因?yàn)闊o(wú)氧銅有良好的導(dǎo)和導(dǎo)熱,而且比較容易機(jī)械加工。如果保養(yǎng)適當(dāng),無(wú)氧銅背靶可以重復(fù)使用10次甚至更多。鉬(Mo)–在某些使用條件比較特殊的況下,如屬鉬作為背靶材料。不銹鋼管(SST)–目前最常使用不銹鋼管作為旋轉(zhuǎn)靶材的背管,因?yàn)椴讳P鋼管有良好的強(qiáng)度和導(dǎo)熱而且非常經(jīng)濟(jì)二、背靶重復(fù)使用大部分背靶可以重復(fù)使用,尤的保護(hù)手套,{jd1}避免用手直接接觸靶材二、靶材清潔靶材清潔的目的是去除靶材表面可能存在的灰塵或污垢。金屬靶材可以通過(guò)四步清潔,{dy}步用在中浸泡過(guò)的無(wú)絨軟布清潔;導(dǎo)致在濺射過(guò)程中熱量無(wú)法散最終會(huì)造成靶材裂或脫靶為確保足夠的導(dǎo)熱,可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請(qǐng)意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射槍冷卻壁的第二步與{dy}步類似用酒精清潔;第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無(wú)絨布”進(jìn)hq體(氬氣或氧氣)必須清潔并干燥,濺鍍腔內(nèi)裝入基材后便需將空氣抽出,達(dá)到工藝所要求的真空度。暗區(qū)屏蔽罩,腔體壁及鄰近表面也需要保持潔凈。在清洗真空腔體時(shí)我們建議采第二步與{dy}步類似用酒精清潔;第三步用去離子水清洗。在用去離子水清洗過(guò)后再將靶材放置在烘箱中以100攝氏度烘干30分鐘。氧化物及陶瓷靶材的清洗建潔用“無(wú)絨布”進(jìn)行