CYPRESS存儲器 集成電路存儲 CY62167GE 相關(guān)信息由 深圳市英尚微電子有限公司提供。如需了解更詳細(xì)的 CYPRESS存儲器 集成電路存儲 CY62167GE 的信息,請點擊 http://www.cqwqw.cn/b2b/sramdram.html 查看 深圳市英尚微電子有限公司 的詳細(xì)聯(lián)系方式。
SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。而DRAM(Dynamic Random Access Memory)每隔一段時間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,功耗較小,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM,因此SRAM顯得更貴。 主要有: 1. 存儲容量: 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N 2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間 3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間 4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性) 5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
主要有:
1. 存儲容量: 存儲單元個數(shù)M×每單元位數(shù)N
2. 存取時間:從啟動讀(寫)操作到操作完成的時間
3. 存取周期:兩次獨立的存儲器操作所需間隔的最小時間
4. 平均故障間隔時間MTBF(可靠性)
5. 功耗:動態(tài)功耗、靜態(tài)功耗
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