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砷化鎵單晶棒北京特博萬(wàn)德科技有限公司

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生長(zhǎng)方法	VB
導(dǎo)電類(lèi)型	N型
摻雜元素	Si
直徑	2-4		英寸
方向	(100) 15⁰± 10′off toward〈111〉A
載流子濃度	Min: 0.2 E18	Max: 4.0 E18	/cm³
電阻率	Min: 0.8 E-3	Max: 9.0 E-3	Ohm.cm
遷移率	≥ 1800		cm²/v.s
位錯(cuò)密度	≤ 3500		/cm²

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