砷化鎵多晶棒北京特博萬德科技有限公司

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合成方法：水平法（HB）

用途：可用于發(fā)光二極管（LED）、激光二極管（LD）以及太陽能

電池等領(lǐng)域砷化鎵單晶的生產(chǎn)。

		砷化鎵多晶料性能指標

	原料純度	6N 及以上
	導電類型	N 型
	遷移率（cm²/V＆#8226;s）	2500~3500
	載流子濃度（cm^-3）	1.0×10¹⁶~1.0×10¹⁷
	產(chǎn)品外觀	D 字形
	尺寸	約 60mm 寬× 45mm 高× 330mm 長

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