透明導電膜(TCO)目前最主要的應(yīng)用是ITO膜,還有其他AZO,等, 　　ITO 薄膜是一種半導體透明薄膜, 它是氧化銦錫( indium t in ox ide) 英文名稱的縮寫。有學者將氧化銦系列( In2O 22SnO 2) 也稱之為ITO 薄膜。作為透明導電電極, 要求ITO 薄膜有良好的透明性和導電性。所以, 此類材料的禁帶寬度E g 一般都大于3 eV , 其摻雜組分要偏離化學計量比。ITO 薄膜的制備方法有蒸發(fā)、濺射、反應(yīng)離子鍍、化學汽相沉積、熱解噴涂等, 但使用最多的是反應(yīng)磁控濺射法[ 1, 2 ]。與其它透明導電薄膜相比, ITO 薄膜具有良好的化學穩(wěn)定性、熱穩(wěn)定性以及良好的圖形加工特性。 　　 我們發(fā)現(xiàn)經(jīng)過銫化處理的ITO 薄膜具有光電發(fā)射效應(yīng)。其光電發(fā)射穩(wěn)定, 有1. 71 ua/lm 的積分靈敏度, 壽命達千小時以上。這種ITO 薄膜的光電發(fā)射對于研制大面積的光電器件、平板顯示器件會有較大的促進作用。