一、 LDMF1GA 高溫存儲器簡介    15611270718

　　LDMF1GA是青島智騰微電子主打的一款175度耐高溫大容量存儲器，LDMF1GA具有高低溫下快速讀寫，可靠性高、性能優(yōu)良等特點?？砷L期工作在-45℃～175℃的惡劣環(huán)境中。它綜合了高性能和低功耗操作，能在沒有電源的情況下保存數(shù)據(jù)。和市面上的175度高溫大容量存儲器相比，有更高的耐高溫性和更高的可靠性。

　　二、 LDMF1GA結構容量：

　　LDMF1GA結構容量為：一共4096塊，每塊128頁，一頁容量為2112字節(jié)(2K+64)。編程和讀操作都是基于頁為單位的操作，擦除操作則是基于塊的操作。

　　LDMF1GA的數(shù)據(jù)地址總線復用8個I/O口。1G字節(jié)物理空間需要30個地址，因此需要5個周期用來尋址：2個周期用做列地址，尋址每頁中的具體位置;3個周期做行地址，用來尋址塊中的具體頁碼。頁讀和頁編程需要相同的5個地址周期，在它們所需的命令輸入后開始執(zhí)行。在塊擦除操作中，只使用3個行地址周期。設備操作通過將指令寫入指令寄存器來選擇。

　　三、 LDMF1GA 引腳功能

　　1. 復用輸入/輸出

　　輸入命令、地址，輸入輸出數(shù)據(jù)。當芯片未被選擇時，或輸出無效時，I/O引腳呈現(xiàn)高阻態(tài)。

　　2. 命令存使能

　　使能指令發(fā)送到指令寄存器中。當CLE為高電平時，在WE信號的上升沿，指令通過IO口存到指令寄存器中。

　　3. 地址存使能

　　使能地址到內部地址寄存器的有效路徑。ALE為高電平時，地址在WE信號的上升沿被存。

　　4. 芯片使能

　　器件選擇控制信號。當器件處于忙狀態(tài)時， CE的高電平被忽略;器件在執(zhí)行編程或擦除操作時不會返回到等待模式。

　　5. 讀使能

　　使能讀允許控制串行數(shù)據(jù)的輸出。當該信號為低電平時，數(shù)據(jù)被驅動至IO口。數(shù)據(jù)在RE的下降沿tREA時間后有效，并且內部列地址計數(shù)器自動加1。

　　6. 寫使能

　　WE輸入使能寫允許控制串行數(shù)據(jù)輸入。命令、地址和數(shù)據(jù)在WE的上升沿存。

　　7. 準備/忙輸出

　　RB輸出用來指示器件操作狀態(tài)。當處于低電平時，表明一個編程、擦除或隨機讀操作正在進行，當處于高電平時，表明沒有操作或者操作完成，該管腳是一個開漏輸出，當芯片未被選擇或輸出未使能時，它并不呈現(xiàn)高阻態(tài)。

　　四、結語

LDMF1GA175度耐高溫大容量存儲器作為新一代的記憶體, 安全性和可靠性均經(jīng)過長期室內室外測試,已經(jīng)在國內及國際石油航天等各種行業(yè)中得到廣泛的應用。本款產(chǎn)品除具有抗過載沖擊、抗干擾、數(shù)據(jù)斷電不丟失的特點外,并具有實時采集速度要求很高，存儲容量大的特點。它的實際應用具有jy和商用價值，未來發(fā)展前景廣闊。175度高溫FLASH存儲器

175度高溫FLASH存儲器

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