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一、拋光技術
最初的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是及其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術——化學機械拋光技術（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：
單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，wm性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；
單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。 化學機械拋光可以獲得較為wm的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是目前能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的{wy}有效方法。依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：
（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。
（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質(zhì)量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產(chǎn)生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產(chǎn)生高損傷層。
二、藍寶石研磨液
藍寶石研磨液（又稱為藍寶石拋光液）是用于在藍寶石襯底的研磨和減薄的研磨液。
藍寶石研磨液由優(yōu)質(zhì)聚晶金剛石微粉、復合分散劑和分散介質(zhì)組成
藍寶石研磨液利用聚晶金剛石的特性，在研磨拋光過程中保持高切削效率的同時不易對工件產(chǎn)生劃傷?？梢詰迷谒{寶石襯底的研磨和減薄、光學晶體、硬質(zhì)玻璃和晶體、超硬陶瓷和合金、磁頭、硬盤、芯片等領域的研磨和拋光。
藍寶石研磨液在藍寶石襯底方面的應用：1.高拋光速率，利用大粒徑的膠體二氧化硅粒子達到高速拋光的目的。
2.高純度（Cu含量小于50 ppb），有效減小對電子類產(chǎn)品的沾污。
3.高平坦度加工，藍寶石拋光液是利用SiO2的膠體粒子進行拋光，不會對加工件造成物理損傷，達到高平坦化加工。
藍寶石拋光液根據(jù)pH值的不同可分為酸性拋光液和堿性拋光液。
藍寶石拋光液的型號：
堿性型號（pH:9.8±0.5）：SOQ-2A、SOQ-4A、SOQ-6A、SOQ-8A、SOQ-10A、SOQ-12D粒徑(nm)： 10~30 30~50 50~70 70~90 90~110 110~130 外觀： 乳白色或半透明液體 比重 1.15±0.05 組成 SiO2：15~30% Na2O：≤0.3%
重金屬雜質(zhì) ：≤50 ppb