1.晶閘管自身的因素 

從晶閘管元件參數(shù)本身考慮，有些因素可能會造成元件的損壞，這可以從解剖大量損壞的晶閘管元件芯片上分析看出。

（1）晶閘管元件的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，芯片內(nèi)部P—N結(jié)結(jié)溫不得超過115攝氏度，當(dāng)結(jié)溫超過臨界允許結(jié)溫時，元件所能承受的阻斷電壓將急劇下降。

（2）電壓上升率Du/dt、電流上升率DI/dt對晶閘管使用的影響。晶閘管對電壓上升率是有限的，晶閘管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為關(guān)斷時，電壓突然加在元件的兩端，因為P—N結(jié)有一定的電容量，如果電壓上升率太大，則會產(chǎn)生一定的漏電流，使元件不關(guān)斷而損壞。晶閘管的電流上升率也是有限的。當(dāng)元件使用在電流比較大、頻率比較高的情況下，由于電流上升率較大，在芯片上電流來不及擴散，產(chǎn)生局部結(jié)溫過高而損壞。

（3）關(guān)斷時間對晶閘管的影響。晶閘管的關(guān)斷時間對逆變電路工作有較大的影響，工作頻率愈高要求的關(guān)斷時間愈小，晶閘管從導(dǎo)通到關(guān)斷需要一定時間，儲存在P—N結(jié)中的電荷（載流子）要逐漸放掉，如果關(guān)斷時間太長，則使晶閘管不能可靠關(guān)斷，使逆變電路換流失敗而造成過流現(xiàn)象導(dǎo)致元件的損壞。

2.控制線路的因素 

控制線路設(shè)計上的不完善是電源運行不穩(wěn)定、不安全的關(guān)鍵所在，也是晶閘管損壞的主要原因之一，其表現(xiàn)為以下幾個方面：

（1）電源的控制線路不能很好地實時跟蹤與控制電源負(fù)載的變化。也就是說，電流電壓出現(xiàn)波動時，不能及時地反饋這種波動信號，從而造成主電路電流電壓的不穩(wěn)定，出現(xiàn)過電流、過電壓現(xiàn)象。這也是目前國內(nèi)中頻電源控制線路普遍存在的問題。

（2）控制電路中對過電流過電壓的保護措施不夠完善，沒有從根本上解決過電流電壓的原因。首先是保護方式的問題，目前大部分電源的保護采用拉逆變的方式，即將故障時的整流脈沖拉回到150°的控制角位置，使整流處于逆變狀態(tài)，將槽路中產(chǎn)生的巨大能量反送回電網(wǎng)。但由于故障時逆變橋失去觸發(fā)脈沖，關(guān)斷了儲能元件能量泄放的通道。所以這種方式不能很好地解決故障中主回路儲能元件對逆變晶閘管造成的威脅；也不能解決槽路短路或過載形成的過電流對晶閘管的關(guān)斷帶來的不利影響。這是對晶閘管保護不利的所在。其次，是保護所采取的措施不當(dāng)。大多數(shù)電源的保護采取了拉逆變及封鎖脈沖的方式，但采用了繼電器控制，繼電器的動作滯后于過電流過電壓，這將失去保護的意義。這也是中頻電源中產(chǎn)生晶閘管損壞的一個不可忽視的因素。

 3.線路的熱不穩(wěn)定因素

控制線路的熱不穩(wěn)定也是電源運行中潛在的不可靠因素。電源在運行一段時間后，各部分參數(shù)出現(xiàn)了漂移。這種漂移發(fā)生在整流器中則會造成電源電壓的不穩(wěn)定；發(fā)生在逆變觸發(fā)部分則會造成逆變換流的失敗發(fā)生在反饋環(huán)節(jié)則會造成電源自我調(diào)節(jié)能力的喪失。

4.使用條件對晶閘管安全運行的影響

從使用的角度來講，造成晶閘管損壞的原因主要有以下幾個方面： 

（1）中頻電源是一種水冷卻設(shè)備，冷卻水就象電源的血液，至關(guān)重要，排水量的大小、水質(zhì)的好壞，如果不能滿足設(shè)備的要求，則水路中易結(jié)水垢，易被堵塞，不利于晶閘管結(jié)溫的擴散，致使晶閘管的承載能力與換流能力的下降，最終導(dǎo)致晶閘管的損壞。

（2）環(huán)境溫度高，灰塵大，潮濕，都會造成電源導(dǎo)電部分接觸不良，以及局部短路的現(xiàn)象發(fā)生。

（3）供電側(cè)突然停電及高壓部分接觸不良造成元件損壞。由于供電緊張的地區(qū)經(jīng)常停電，在突然停電過程中電源中的保護環(huán)節(jié)不能起到正常的保護作用，電路中的電感在突然斷電時產(chǎn)生高電壓往往造成晶閘管電壓擊穿。 

車間供電側(cè)的開關(guān)某一相觸點接觸不良，打火、或高壓進線跌落保護開關(guān)容量不夠都會造成供電“缺相”，使中頻電源突然損壞晶閘管。

 5.中頻電源過壓，過流保護環(huán)節(jié)失靈。

中頻電源的保護環(huán)節(jié)很重要，一般有過電壓、過電流保護，截壓、截流、過載保護及快速熔斷器短路保護。這三道“防線”對一般的故障是可以起到保護作用的。

如果保護環(huán)節(jié)出現(xiàn)故障一些元件失效、電路虛焊等或整定值不對，則有可能損壞晶閘管。因此應(yīng)定期檢驗它們的保護特性，不允許“帶病”工作。

晶閘管常見損壞現(xiàn)象分析

當(dāng)晶閘管損壞后需要檢查分析其原因時，可把管芯從冷卻套中取出，打開芯盒再取出芯片，觀察其損壞后的痕跡，以判斷是何原因。下面介紹幾種常見現(xiàn)象分析。

1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產(chǎn)生的高電壓擊穿。

2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，其位置在遠(yuǎn)離控制極上。

電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞，而其在控制極附近或就在控制極上。

3、 邊緣損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處，有細(xì)小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導(dǎo)致電壓擊穿。