啥是HBM？
 
      HBM是最陳舊和最常見的ESD形式。如Mil-Std 1686第5.2.1.1節(jié)所述，依據(jù)HBM規(guī)范，ESD損壞的主要來歷是人體。雖然它被稱作人體形式，但實(shí)踐上它表明人體或任何帯電器材放電到ESDS（ESD sensitive，ESD靈敏）器材。一般表現(xiàn)為指尖到器材的放電。 
*DUT： Device Under Test，被測(cè)器材
      圖像所示的等效電路包含帯電的電容器Co。當(dāng)開關(guān)被投入時(shí)，CO經(jīng)過RX放電到DUT* （CX）。
*DUT： Device Under Test，被測(cè)器材
       此形式契合MIL-STD 883method3015，其間CO = 100pF，RX = 1.5kohm。別的常用的還有IEC 61000-4-2，其間CO = 150pF，RX = 330 ohms。關(guān)于AEC-Q200，CO = 150pF，RX = 2kohm。除這些外，還有無數(shù)個(gè)HBM ESD實(shí)驗(yàn)辦法。
 
業(yè)界認(rèn)可的ESD實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)有哪些？
 
      有無數(shù)個(gè)業(yè)界和客戶特定ES實(shí)驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。有關(guān)于元件等級(jí)以及模塊等級(jí)的標(biāo)準(zhǔn)。在所有這些標(biāo)準(zhǔn)中，最常見的包含Mil-Std 883method3015、JESD22-A114和AEC-Q200。
這些標(biāo)準(zhǔn)的幾個(gè)參數(shù)各有不一樣，包含放電電路中的值、ESD電壓等級(jí)增量、每次實(shí)驗(yàn)的ESD脈沖（沖擊）數(shù)、極性次序和充電/放電次序。
      很多這些標(biāo)準(zhǔn)還有自個(gè)的ESD等級(jí)分類系統(tǒng)來表明ESD靈敏度。例如，轎車AEC-Q200顯現(xiàn){zd0}25kV的ESD實(shí)驗(yàn)的高標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)。
 
一般怎么對(duì)ESD進(jìn)行實(shí)驗(yàn)？
 
      生產(chǎn)商一般將AEC-Q200用作典型ESD實(shí)驗(yàn)辦法。運(yùn)用此辦法履行現(xiàn)有的系列認(rèn)証。
AEC-Q200的啟動(dòng)電壓為6kV，并遵循根據(jù)漸進(jìn)樹形的漸進(jìn)電壓實(shí)驗(yàn)份額。抱負(fù)狀況下，漸進(jìn)會(huì)是6kV、12kV、16kV和25kV。各極性的單次充電/放電以各個(gè)電壓等級(jí)來進(jìn)行。在毎個(gè)電壓要用未運(yùn)用元件。須知jq和完整的放電關(guān)于取得jq的ESD成果十分要害。
      經(jīng)過的{zg}合格等級(jí)代表被實(shí)驗(yàn)部件的ESD分類等級(jí)（ESD靈敏度）。此分類等級(jí)可協(xié)助規(guī)劃工程師斷定其運(yùn)用的jq電容器。
 
怎么引薦挑選關(guān)于ESD的jq電容器？
 
 經(jīng)過實(shí)驗(yàn)，斷定有三個(gè)重要參數(shù)可協(xié)助規(guī)劃工程師斷定{zh0}的ESD電容器值: 擊穿電壓、電容量和直流偏壓。
 
啥是Vbd？
 

Vbd實(shí)驗(yàn)成果示例
 
      Vbd（Voltage BreakDown，擊穿電壓）是用于量化電容器電壓等級(jí)強(qiáng)度的辦法。以固定電壓斜率（即: 100v/s）將直流電壓印加到電容器，直到部件毛病。這能斷定電容器可承受的{zd0}持續(xù)電壓，但不會(huì)直接指示{zd0}ESD電壓等級(jí)。
 
啥是電容（DUT）效應(yīng)？
 
      DUT效應(yīng)是指在ESD實(shí)驗(yàn)電路中被測(cè)試的電容器上看到的有用電壓。
點(diǎn)剖析顯現(xiàn)測(cè)定電壓（VX）與DUT （CX）之間的聯(lián)系:

經(jīng)過電源電壓（VO）和充電電容器（CO）堅(jiān)持不變，測(cè)定電壓（VX）和DUT電容器（CX）之間的聯(lián)系成反比。這表明，挑選的CX值越高，VX越小。
為闡明DUT效應(yīng)，以1000pF 電容器 （CX）的4kV （VO） ESD請(qǐng)求為例。同時(shí)還假定咱們采用的是運(yùn)用CO = 150pF的AEC-Q200實(shí)驗(yàn)辦法。DUT效應(yīng)聯(lián)系顯現(xiàn)印加4kV時(shí)，CX只顯現(xiàn)521.7V （VX）。
 
啥是直流偏壓？
 
      給陶瓷電容器印加直流偏壓時(shí)，有用電容量也許與標(biāo)稱電容量不一樣。直流偏壓一般用關(guān)于標(biāo)稱值的電容量改變百分比表明。

       直流偏壓大多是因?yàn)殡娊橘|(zhì)資料。當(dāng)然，其它規(guī)劃和結(jié)構(gòu)因素也起必定效果。關(guān)于Class I電介質(zhì)（如：C0G），改變相對(duì)較小。關(guān)于Class II（如：X7R和X5R），您也許會(huì)看到剛開始電容量稍微添加，但隨即在您挨近額外電容量時(shí)穩(wěn)定降低。一般關(guān)于Class II電介質(zhì)，直流偏壓介于-10%到-70%之間。
跟著施加電壓添加，有用電容量降低。直流偏壓是可重復(fù)的，只需您不超越額外電壓，對(duì)電容器功能或壽數(shù)都不會(huì)形成嚴(yán)重影響。
 
所有這些內(nèi)容（參數(shù)）怎么幫我挑選一個(gè)ESD維護(hù)電容器？
 
      {dy}步是承認(rèn)需求多少ESD維護(hù)。記住，12,000V模塊等級(jí)的請(qǐng)求不表明部件請(qǐng)求也是12,000V。在很多狀況下，終究客戶設(shè)定模塊等級(jí)ESD請(qǐng)求，并讓規(guī)劃工程師決定需求契合哪些部件等級(jí)請(qǐng)求才干滿意模塊等級(jí)ESD。
獨(dú)自ESD實(shí)驗(yàn)鑒定不是挑選電容器值的{zh0}方式。假如不檢查Vbd、DUT和直流偏壓效應(yīng)，規(guī)劃工程師也許關(guān)于維護(hù)電路進(jìn)行過火規(guī)劃，乃至欠安全規(guī)劃。
首要，回想一下測(cè)定電壓（VX）與DUT （CX）之間的聯(lián)系。

如前所述，關(guān)于Class II MLCC，直流偏壓所形成的電容量減少高達(dá)70%。假如咱們假定這是最糟狀況，

這一聯(lián)系通知咱們電容器（CX）實(shí)踐能夠看到多少電壓（VX）。因此，咱們挑選高于VX的電壓擊穿等級(jí)（Vbd）的電容器來終究選定咱們的電容器。

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