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AO3407-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3407

作者:深圳市強元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2024-11-21 瀏覽:6
AO3407-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3407

編輯:ll

AO3407-ASEMI中低壓P溝道MOSAO3407

型號:AO3407

品牌:ASEMI

封裝:SOT-23

漏源電流:-4.1A

漏源擊穿電壓:-30V

批號:最新

RDSONMax65mΩ

引腳數(shù)量:3

溝道類型:P溝道MOS

芯片尺寸:MIL

漏電流:

恢復(fù)時間:5ns

芯片材質(zhì):

封裝尺寸:如圖

特性:中低壓MOS管、P溝道MOS

工作結(jié)溫-55℃~150

AO3407場效應(yīng)管

AO3407的電性參數(shù):漏源電流-4.1A;漏源擊穿電壓-30V

特征:

低固有電容。

出色的開關(guān)特性。

擴展安全操作區(qū)域。

無與倫比的柵極電荷:Qg=75 nC(典型值)。

BVDSS=-30V,Id=-4.1A

RDS(開):65m? (值)@VG=-30V

鄭重聲明:資訊 【AO3407-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3407】由 深圳市強元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.cqwqw.cn)證實,請讀者僅作參考,并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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