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分子束外延 MBE 是一種晶體生長技術, 首先將待成長的芯片放置在超高真空腔體中（~10-10Torr）, 和將需要生長的單晶物質(zhì)按元素的不同分別放在噴射爐中, 當爐溫升至一定溫度時, 爐中的材料會以原子束或分子束的形式蒸發(fā)出來, 此時基板也被加熱至一適當?shù)臏囟? 分子束射至基板時, 就會與基板表面的原子結(jié)合而生長出極薄的, 可薄至單原子層水平, 單晶體和幾種物質(zhì)交替的超晶格結(jié)構(gòu).
分子束外延 MBE系統(tǒng)需要在超高真空環(huán)境中進行, 對真空度要求及其高, 真空可到 2×10-10 torr, 同時需要低振動, 低噪音, 清潔無油確保超高真空的穩(wěn)定性已保證晶格的生長和后期的探測分析.
分子束外延設備在生長二維材料以及拓撲材料, 氧化物方面都有不錯的性能. 例如：GaAs/ InP和GaSb外延, HgCdTe外延/ GaN/ InN和AlN外延/ Ⅱ-Ⅵ族外延/ SiGe外延/ Si/金屬/氧化物外延等
上海伯東Pfeiffer 用于 MBE 的客戶案例
某真空系統(tǒng)集成商搭建的MBE設備, 由用戶方采購 HiPace 系列和 ACP干泵用于分子束外延系統(tǒng),
可以生長小樣品及6“樣品 SiC及 PBN鎢絲等加熱元件, 溫度可以加到900度, 如果兩寸以上樣品可以到1100度.
腔體采有SS316材質(zhì), 真空可達到10-10Torr, 使用伯東 Pfeiffer HiPace分子泵及配合使用其他品牌離子泵, 可配備晶振, 束流監(jiān)控器, 高能電子槍以及監(jiān)控軟件.
可配備固體源/ 氣體源/ALD閥/ 等離子體增強型束源爐及電子回旋共振束源爐
標準RHEED系統(tǒng)（實時外延監(jiān)測）
自動化控制軟件
分子束外延超高真空系統(tǒng)用伯東 Pfeiffer 分子泵
伯東 Pfeiffer HiPace 700
接口: DN 160 CF-F
極限真空: < 5X10-10 mbar
氮氣壓縮比: > 1X1011
抽速@N2: 685 l/s
伯東 Pfeiffer ACP28 多級
接口: DN25 ISO-KF
抽速: 27m3/h
上海伯東是德國 , , , , 美國 , 美國 , 美國 Ambrell 和日本 NS 等進口品牌的指定代理商.
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