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鍍膜技術(shù) IAC 是利用沉積原子和轟擊離子之間一系列的物理化學(xué)作用, 可在常溫下合成各種薄膜. 其關(guān)鍵技術(shù)是離子源、靶室和工藝參數(shù)的控制.
離子源是產(chǎn)生所需離子的關(guān)鍵部件, 它的種類與質(zhì)量決定著制備膜層的性能和質(zhì)量. KRI 考夫曼離子源, 它能產(chǎn)生氣體元素的大面積離子束, 適合用于離子束濺射鍍膜、對(duì)膜層進(jìn)行離子束轟擊以及對(duì)工件進(jìn)行離子束表面清洗.
伯東為客戶提供柵極離子源和無(wú)柵離子源, 客戶可根據(jù)自己的工藝需求, 選擇不同的離子源.
伯東 KRI 離子源有:
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靶室
靶室是裝載工件, 進(jìn)行離子束表面處理的部件, 它的容積大小、靶的工件夾具機(jī)構(gòu)及其運(yùn)動(dòng)方式, 隨工件種類的不同, 差異很大.
工藝參數(shù)控制
控制工藝參數(shù), 保證工件表面的沉積原子數(shù)與轟擊原子數(shù)達(dá)到一定的比例, 對(duì)膜層的性能和質(zhì)量至關(guān)重要.
KRI 在創(chuàng)新設(shè)計(jì), 產(chǎn)品質(zhì)量和技術(shù)專長(zhǎng)方面享譽(yù)全球. 這些離子源可輸出高質(zhì)量和穩(wěn)定的離子束, 通過(guò)控制器可以實(shí)現(xiàn)控制, 以提供確定的形狀, 電流密度和離子能量.
實(shí)際應(yīng)用證明, 離子源用在鍍膜技術(shù) IAC可制備出結(jié)合力很強(qiáng)的具有各種特殊的膜層, 如ZrN、ZrC、BN、TiO2和類金剛石碳膜等.
伯東是德國(guó) , , , , 美國(guó) , 美國(guó), 美國(guó) , 美國(guó) Ambrell 和日本 NS 等進(jìn)口品牌的指定代理商.
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