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二氧化硅 (SiO_2) 薄膜具有硬度高、耐磨性好、絕緣性好等優(yōu)點(diǎn)常作為絕緣層材料在薄膜傳感器生產(chǎn)中得到廣泛應(yīng)用. 某光學(xué)薄膜制造商為了獲得高品質(zhì)的 SiO_2薄膜引進(jìn)伯東 KRI 聚焦型輔助離子束濺射鍍制SiO_2薄膜.
該制造商的離子束濺射鍍膜組成系統(tǒng)主要由濺射室、雙、濺射靶、基片臺、真空氣路系統(tǒng)以及控制系統(tǒng)等部分組成.
離子源濺射離子源采用進(jìn)口的 KRI 聚焦型, 其參數(shù)如下:
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射頻型號 |
RFICP 380 |
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Discharge 陽極 |
射頻 RFICP |
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離子束流 |
>1500 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
30 cm Φ |
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離子束 |
聚焦 |
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流量 |
15-50 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
39 cm |
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直徑 |
59 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
1. 聚焦型濺射離子源一方面可以增加束流密度, 提高濺射率
2. 另一方面減小離子束的散射面積, 減少散射的離子濺射在靶材以外的地方引起污染
其真空氣路系統(tǒng)真空系統(tǒng)需要沉積前本底真空抽到 8×10-4 Pa, 經(jīng)推薦采用伯東泵組 Hicube 80 Pro, 其技術(shù)參數(shù)如下：
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進(jìn)氣法蘭 |
氮?dú)獬樗?br /> N2,l/s |
極限真空 hpa |
前級泵 型號 |
前級泵抽速 |
前級真空 |
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DN 40 ISO-KF |
35 |
< 1X10-7 |
Pascal 2021 |
18 |
AVC 025 MA |
運(yùn)行結(jié)果：
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