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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非常快。
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
flash存儲器又成為閃存，它與eeprom都是掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲器，但是flash的存儲容量都普遍的大于eeprom，在存儲控制上，主要的區(qū)別是flash芯片只能一大片一大片地擦除，而eeprom可以單個字節(jié)擦除。 sram是靜態(tài)隨機存取存儲器。它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。stm32f1系列可以通過fsmc外設(shè)來拓展sram。 注意：sram和sdram是不相同的，sdram是同步動態(tài)隨機存儲器，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn);動態(tài)是指存儲陣列需要不斷的刷新來數(shù)據(jù)不丟失;隨機是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲，而是自由進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。stm32的f1系列是不支持sdram的。 L78L05ACD13TR STMPS2171STR UC2844BD1013TR L4931ABD50-TR LD59100PUR ST1S09IPUR LM317LD13TR MC34063EBD-TR ST1L05BPUR TSM1052 STM1061N26WX6F UC3842BD1013TR STPS6M100DEE-TR STPS20M100SG-TR STPS5H100BY-TR STPS745G-TR STPS140AY STTH2R02AFY STTH3L06S STTH2L06A STTH5L06 STTH30RQ06W STTH310RL STTH30RQ06G-TR