25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電分析師稱，這項(xiàng)被一些供應(yīng)商和分析師稱為內(nèi)包的舉措可讓蘋果公司在設(shè)備性能方面比競(jìng)爭(zhēng)兩年，這是因?yàn)樵摴究赏ㄟ^規(guī)劃多個(gè)芯片如何協(xié)同工作來耗電量，并騰出iphone和ipad的內(nèi)部空間供其他零部件使用。此舉還降低了產(chǎn)品計(jì)劃潛在的泄露風(fēng)險(xiǎn)。蘋果公司的芯片部門在過去十年里發(fā)展迅速，目前已經(jīng)有幾以千計(jì)的，其中包括1999年收購raycergraphics和2008年收購p.a.semi所帶來的眾多。過去十年蘋果公司在設(shè)計(jì)定制芯片方面取得的成功鞏固了硬件技術(shù)部主管johnysrouji作為蘋果公司高管團(tuán)隊(duì)重要成員之一的。他提前好幾年就介紹了蘋果芯片為未來設(shè)備提供支持所需具備的功能。分析師說，蘋果公司能夠證明定制芯片的工程成本是合理的，因?yàn)槿∠?yīng)鏈中的一個(gè)環(huán)節(jié)可以節(jié)省下成本。與其付錢給芯片設(shè)計(jì)者，然后由芯片設(shè)計(jì)者雇傭制造商來生產(chǎn)芯片，蘋果公司現(xiàn)在可以代之以直接向芯片制造商付費(fèi)，該公司將開始對(duì)mac系列電腦采取這種做法。供應(yīng)商說，蘋果公司已經(jīng)設(shè)立了數(shù)家辦公室，并從調(diào)制解調(diào)器提供商高通公司(qua mminc.,qcom)以及調(diào)制解調(diào)器和處理器供應(yīng)商英特爾那里挖來，以推動(dòng)該公司對(duì)定制芯片的追求。在其他案例中，因?yàn)樘O果公司透露了開發(fā)自研芯片的計(jì)劃，導(dǎo)致imaginationtechnologies(img.ln)的股價(jià)暴跌70 ，并終把自身出售。類似的例子還有，蘋果公司自研電源管理技術(shù)的努力導(dǎo)致供應(yīng)商dialogsem nductorplc將該領(lǐng)域的業(yè)務(wù)出售給蘋果公司，而不是與蘋果公司展開競(jìng)爭(zhēng)。過去十年，蘋果公司已收購多家半導(dǎo)體公司，其中包括去年以10億美元收購英特爾調(diào)制解調(diào)器業(yè)務(wù)的。這些是并購熱潮的一部分，據(jù)dealogic的數(shù)據(jù)顯示，自2007年iphone推出以來，并購活動(dòng)已增長一倍達(dá)到每年410筆。 mac更換 處理器(cpu)給軟件開發(fā)人員帶來新負(fù)擔(dān)，他們中的許多人需要更新自己的應(yīng)用，以便能夠在蘋果公司基于arm的芯片上工作。 moorinsights&strategy總裁、芯片制造商advancedmicrodevicesinc.(amd)前高管patrickmoorhead說，蘋果公司周一未能向表明額外的工作將是值得的，因?yàn)樵摴緵]有提供相對(duì)于其他處理器的關(guān)于性能的技術(shù)細(xì)節(jié)。 moorhead說：“我們知道蘋果公司將因成本降低而獲利，但在開始動(dòng)手前，他們應(yīng)該先問問自己能從投資進(jìn)行代碼修改中得到什么?！眒oorhead的客戶包括高通和英特爾等蘋果公司的芯片供應(yīng)商。隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲(chǔ)器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會(huì)，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級(jí)固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測(cè)試。  回收iwatte/dialog手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收瑞薩集成電路芯片回收infineon聲卡芯片回收INFINEON升壓IC 回收arvinMOS管場(chǎng)效應(yīng)管回收XilinxMOS管回收INFINEON原裝整盤IC 回收adi網(wǎng)卡芯片回收PANASONIC車充降壓IC 回收安森美邏輯IC 回收CJ長電傳感器芯片回收MARVELLMOS管回收semiment汽車主控芯片回收INFINEONSOP封裝IC 回收英飛凌觸摸傳感器芯片回收semtech音頻IC 回收瑞昱微控制器芯片回收arvin集成電路芯片回收TOSHIBA進(jìn)口IC 回收中芯芯片回收凌特收音IC 回收芯成降壓恒溫芯片回收idesyn降壓恒溫芯片回收RENESAS封裝SOP20芯片