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采用flash介質(zhì)時一個需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲方案??梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個nand存儲器塊在給定的時間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時, 先寫入驅(qū)動程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯、壞塊處理和損耗平衡。
nand flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的,通常是一次讀取512個字節(jié),采用這種技術(shù)的flash比較廉價。用戶不能直接運(yùn)行nand flash上的代碼,因此好多使用nand flash的開發(fā)板除了使用nand flah以外,還作上了一塊小的nor flash來運(yùn)行啟動代碼。 nand結(jié)構(gòu)能提供 高的單元密度,可以達(dá)到高存儲密度,并且寫入和擦除的速度也很快。應(yīng)用nand的困難在于flash的管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。一般小容量的用nor flash,因?yàn)槠渥x取速度快,多用來存儲操作系統(tǒng)等重要,而大容量的用nand flash?;厥誖OHM電池充電管理芯片回收ti德州儀器收音IC 回收MARVELL進(jìn)口IC 回收芯成WIFI芯片回收芯成全新整盤芯片回收Marvell藍(lán)牙IC 回收威世封裝QFN進(jìn)口芯片回收ncs信號放大器回收NXP穩(wěn)壓管理IC 回收idt手機(jī)存儲芯片回收亞德諾WIFI芯片回收adi藍(lán)牙芯片回收idesyn集成電路芯片回收MICRON/美光邏輯IC 回收麗晶微原裝整盤IC 回收TOSHIBA藍(lán)牙IC 回收kerost汽車電腦板芯片回收INFINEON觸摸傳感器芯片回收尚途sunto封裝sot23-5封裝芯片回收Vincotech發(fā)動機(jī)管理芯片回收亞德諾電源管理IC 回收艾瓦特進(jìn)口IC 回收toshiba封裝QFP144芯片回收PARADE譜瑞聲卡芯片回收芯成計算機(jī)芯片回收toshiba電池充電管理芯片回收RENESAS驅(qū)動IC 回收HOLTEK合泰MCU電源IC