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采用flash介質(zhì)時(shí)一個(gè)需要 考慮的問題是性。對于需要擴(kuò)展mtbf的系統(tǒng)來說,flash是非常合適的存儲(chǔ)方案?？梢詮膲勖?性)、位交換和壞塊處理三個(gè)方面來比較nor和nand的性。
性
在nand閃存中每個(gè)塊的大擦寫次數(shù)是一百萬次,而nor的擦寫次數(shù)是十萬次。nand存儲(chǔ)器除了具有10比1的塊擦除周期勢,典型的nand塊尺寸要比nor器件小8倍,每個(gè)nand存儲(chǔ)器塊在給定的時(shí)間內(nèi)的刪除次數(shù)要少一些。
易于使用
可以非常直接地使用基于nor的閃存,可以像其他存儲(chǔ)器那樣連接,并可以在上面直接運(yùn)行代碼。
由于需要i/o接口,nand要復(fù)雜得多。各種nand器件的存取方法因廠家而異。
在使用nand器件時(shí), 先寫入驅(qū)動(dòng)程序,才能繼續(xù)執(zhí)行其他操作。向nand器件寫入需要相當(dāng)?shù)募记?,這就意味著在nand器件上自始至終都 進(jìn)行虛擬映射。
其他作用
驅(qū)動(dòng)還用于對diskonchip產(chǎn)品進(jìn)行仿真和nand閃存的管理,包括糾錯(cuò)、壞塊處理和損耗平衡。
速度快，掉電丟失數(shù)據(jù)，容量小，價(jià)格貴 ram英文名random access memory，隨機(jī)存儲(chǔ)器，之所以叫隨機(jī)存儲(chǔ)器是因?yàn)椋寒?dāng)對ram進(jìn)行數(shù)據(jù)讀取或?qū)懭氲臅r(shí)候，花費(fèi)的時(shí)間和這段所在的位置或?qū)懭氲奈恢脽o關(guān)。 ram分為兩大類：sram和dram?；厥誖OHM電池充電管理芯片回收ti德州儀器收音IC 回收MARVELL進(jìn)口IC 回收芯成WIFI芯片回收芯成全新整盤芯片回收Marvell藍(lán)牙IC 回收威世封裝QFN進(jìn)口芯片回收ncs信號(hào)放大器回收NXP穩(wěn)壓管理IC 回收idt手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收亞德諾WIFI芯片回收adi藍(lán)牙芯片回收idesyn集成電路芯片回收MICRON/美光邏輯IC 回收麗晶微原裝整盤IC 回收TOSHIBA藍(lán)牙IC 回收kerost汽車電腦板芯片回收INFINEON觸摸傳感器芯片回收尚途sunto封裝sot23-5封裝芯片回收Vincotech發(fā)動(dòng)機(jī)管理芯片回收亞德諾電源管理IC 回收艾瓦特進(jìn)口IC 回收toshiba封裝QFP144芯片回收PARADE譜瑞聲卡芯片回收芯成計(jì)算機(jī)芯片回收toshiba電池充電管理芯片回收RENESAS驅(qū)動(dòng)IC 回收HOLTEK合泰MCU電源IC
