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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電相信大家都知道，在芯片產業(yè)鏈共分為idm、foundry、fabless三種模式，其中fabless則指芯片設計廠商，只設計芯片不生產制造芯片產品，如華為、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果等，而foundry則指芯片代工廠商，只具備芯片生產制造能力，并不具備芯片設計能力，如臺積電、中芯、華虹半導體等等，而實力強的則是idm芯片模式，具備了芯片設計、芯片制造、芯片封測等 能力，從設計到后生產制造部都能夠自己搞定，比如intel、三星等，或許也是因為整個芯片產業(yè)鏈技術門檻較高，所以國內芯片廠商 的都只是fabless廠商，而idm芯片廠商則更少。
而就在段時間，國內手機odm聞泰科技直接并購了安世半導體，安世半導體作為汽車領域的idm芯片，也是功率半導體企業(yè)，這也意味著聞泰科技是國內甚至是強的idm芯片，自己可以搞定芯片設計、芯片制造、芯片封測等 能力。
隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 ADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G