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MoN薄膜是一種具有潛在應(yīng)用價(jià)值的薄膜材料, 但對于其結(jié)構(gòu)和性能的研究還較少. 因此，廣州某研究機(jī)構(gòu)采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 在 304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統(tǒng)研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.
伯東 KRI RFICP220 技術(shù)參數(shù):
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型號 |
RFICP220 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>800 mA |
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離子動(dòng)能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
20 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
10-40 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
30 cm |
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直徑 |
41 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
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結(jié)果表明:
偏壓顯著影響直流磁控沉積的 MoN 薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌、斷面結(jié)構(gòu)、硬度和摩擦磨損性能;隨脈沖偏壓的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都先增大后減小, 而薄膜的磨損率卻先減小后增大, 其中 -500 V 脈沖偏壓下沉積的 MoN 薄膜具有硬度為 7731 N/mm~2, 以及低的磨損率為 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m). 此外, MoN 薄膜在不同載荷和轉(zhuǎn)速的摩擦條件下表現(xiàn)出不同的摩擦學(xué)行為.
KRI 的獨(dú)特功能實(shí)現(xiàn)了更好的性能, 增強(qiáng)的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術(shù)的情況下是無法實(shí)現(xiàn)的.
因此, 該研究項(xiàng)目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.
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