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上海某大學實驗室采用 KRI 考夫曼 RFICP140 , 通入氬氣和氮氣, 在流量比分別為 25/10、25/20、25/25、25/30 ((mL/min)/(mL/min))條件下制備 NGZO 薄膜.
伯東 KRI 考夫曼 RFICP140 技術參數:
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型號 |
RFICP140 |
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Discharge |
RFICP 射頻 |
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離子束流 |
>600 mA |
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離子動能 |
100-1200 V |
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柵極直徑 |
14 cm Φ |
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離子束 |
聚焦, 平行, 散射 |
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流量 |
5-30 sccm |
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通氣 |
Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
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典型壓力 |
< 0.5m Torr |
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長度 |
24.6 cm |
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直徑 |
24.6 cm |
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中和器 |
LFN 2000 |
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實驗室通過 XRD 和 SEM 對薄膜的物相結構和表面形貌進行分析,通過紫外可見分光光度計和霍爾效應測試儀對薄膜透過率和載流子濃度、遷移率及薄膜電阻率進行研究.
實驗結果:
通過與未摻入 N 的 Ga 摻雜氧化鋅 (GZO) 薄膜相比, 在可見光區(qū), 尤其是 600~800 nm 范圍內, NGZO 薄膜平均透過率在80%以上,符合透明導電薄膜透過率的要求.
在 N-Ga 共摻雜薄膜中, N 的摻雜主要占據 O 空位, 并吸引空位周圍的電子, 這減小了薄膜晶格畸變, 并產生電子空穴, 最終使得薄膜中電子載流子濃度降低, 空穴載流子濃度增加, 電阻率有所增加.
隨著氮氣流量的變化, 發(fā)現在 25 mL/min 時, 薄膜具有佳的綜合性能. 這種薄膜可用于紫外光探測器等需較大電阻率的應用中, 并有望實現 n-p 型轉化.
KRI 的獨特功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 技術的情況下是無法實現的.
KRI 是領域公認的領者, 已獲得許多專利. KRI 已應用于許多已成為行業(yè)標準的過程中.
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