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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電把萬用表的黑表筆（表內正 ）搭觸二 管的正 ，，紅表筆（表內負 ）搭觸二 管的負 。若表針不擺到0值而是停在標度盤的中間，這時的阻值就是二 管的正向電阻，一般正向電阻越小越好。若正向電阻為0值，說明管芯短路損壞，若正向電阻接近無窮大值，說明管芯斷路。短路和斷路的管子都不能使用。
2、反向特性測試
把萬且表的紅表筆搭觸二 管的正 ，黑表筆搭觸二 管的負 ，若表針指在無窮大值或接近無窮大值，管子就是合格的。
二 管的應用
1、整流二 管
利用二 管單向導電性，可以把方向交替變化的交流電變換成單一方向的脈動直流電。
2、開關元件
二 管在正向電壓作用下電阻很小，處于導通狀態(tài)，相當于一只接通的開關；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止狀態(tài)，如同一只斷開的開關。利用二 管的開關特性，可以組成各種邏輯電路。
3、限幅元件
二 管正向導通后，它的正向壓降基本保持不變（硅管為0.7v，鍺管為0.3v）。利用這一特性，在電路中作為限幅元件，可以把信號幅度在一定范圍內。
4、繼流二 管
在開關電源的電感中和繼電器等感性負載中起繼流作用。
5、檢波二 管
在收音機中起檢波作用。
6、變容二 管
使用于電視機的中。
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術的flash產品。為了后續(xù)3d nand flash的量產鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產。 由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。 TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS259573DSGR TLV74212PDQNR LMZ20501SILR OPA192IDBVR TLV70018DSET TLV73311PQDBVRQ1 TLV73315PQDBVRQ1 TPS7B6925QDCYRQ1 SN74LVC1G175DCKR TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1