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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電 ATMEGA32A-AU
W25Q64JVSIQ
NUC029LAN
STM32F401RCT6
TPS54202DDCR
STM32F030RCT6
ATMEGA16A-AU
ATMEGA128A-AU
TPS3116D2DADR
另一種稱為動態(tài)ram（dynamic ram/dram），dram保留數(shù)據(jù)的時間很短，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快，但從價格上來說dram相比sram要便宜很多，計算機(jī)內(nèi)存就是dram的。
dram
dram分為很多種，常見的主要有fpram/fastpage、edoram、sdram、ddr ram、rdram、sgram以及wram等，這里介紹其中的一種ddr ram。
ddr ram（date-rate ram）也稱作ddr sdram，這種改進(jìn)型的ram和sdram是基本一樣的，不同之處在于它可以在一個時鐘讀寫兩次數(shù)據(jù)，這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得多的內(nèi)存，而且它有著成本勢，事實上擊敗了intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)－rambus dram。在很多的顯卡上，也配備了高速ddr ram來提高帶寬，這可以大幅度提高3d加速卡的像素渲染能力。micron自家市場統(tǒng)計預(yù)測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達(dá)51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 回收MICRON/美光隔離恒溫電源IC 回收瑞薩封裝QFN進(jìn)口芯片回收LINEAR原裝整盤IC 回收瑞昱進(jìn)口芯片回收HOLTEK合泰車充降壓IC 回收maxim/美信微控制器芯片回收艾瓦特降壓恒溫芯片回收NS驅(qū)動IC 回收韋克威網(wǎng)口IC芯片回收TAIYO/太誘MOS管場效應(yīng)管回收東芝音頻IC 回收飛思卡爾車充降壓IC 回收ST意法MOS管回收WINBOND華邦升壓IC 回收VISHAY驅(qū)動IC 回收億盟微aurix芯片回收TAIYO/太誘手機(jī)存儲芯片回收LINEAR計算機(jī)芯片回收矽力杰封裝SOP20芯片回收麗晶微穩(wěn)壓器IC 回收idt隔離恒溫電源IC 回收鑫華微創(chuàng)穩(wěn)壓管理IC 回收威世微控制器芯片回收瑞薩觸摸傳感器芯片回收羅姆MOS管場效應(yīng)管回收ROHM計算機(jī)芯片回收ROHM收音IC 回收韋克威原裝整盤IC 回收iwatte/dialog穩(wěn)壓器IC
