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micron自家市場統(tǒng)計預(yù)測指出，從2012到2016年總體nand flash容量應(yīng)用的年復(fù)合成長率可達51 。2013年，美光（micron）與sk hynix兩家晶圓廠，先后發(fā)表16nm制程的nand flash存儲器技術(shù)，而東芝（toshiba）則在2014年直接跨入15nm制程，并推出相關(guān)nand flash存儲器芯片產(chǎn)品。 nand flash傳輸速率，從2010年onfi 2.0的133mb/s，emmc v4.41的104mb/s；到2011年onfi v2.2/toggle 1.0規(guī)格，傳輸速率提升到200mb/s，emmc v4.5拉高到200mb/s，ufs 1.0傳輸速率為2.9gbps；2012年onfi v3.0/toggle v1.5提升到400mb/s，ufs v2.0傳輸速率倍增為5.8gbps；預(yù)估到2015年，onfi v4.x/toggle v2.xx規(guī)格定義的傳輸速率增到800mb/s、1.6gb/s。 LMV552MMX PH9130AL LMP7715MFX BYQ28E-200 BYV29FX-600 TMP512AIDR ADF4153BCPZ TDA9981BHL/8/C1 FAN2106MP ISP1104W PCA9535BS LM4120AIM5X-4.1 LP3470M5X-3.08 BFG505 MIC5235-3.3YM5 P4SMA30A-E3/61 LP3470M5-4.63 MIC2142YM5 LP3990MF-1.2 LP3990MFX-1.2 LM4050AEM3-5.0 PBSS4160T NUP4201MR6T1G