25小時在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個比特位會發(fā)生反轉(zhuǎn)或被反轉(zhuǎn)了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關(guān)鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就 采用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)算法。位反轉(zhuǎn)的問題 見于nand閃存,nand的供應(yīng)商建議使用nand閃存的時候,同時使用edc/ecc算法。
這個問題對于用nand存儲多媒體時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設(shè)備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時, 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,不劃算。
nand器件需要對介質(zhì)進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中,如果通過的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。
軟件支持
當討論軟件支持的時候,應(yīng)該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高的用于磁盤和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅(qū)動程序,也就是內(nèi)存技術(shù)驅(qū)動程序(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅(qū)動,該驅(qū)動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
sram是靜態(tài)（s指的static）ram，靜態(tài)指的不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失，sram速度非常快，是目前讀寫快的存儲設(shè)備了。 dram是動態(tài)ram，動態(tài)指的每隔一段時間就要刷新一次數(shù)據(jù)，才能保存數(shù)據(jù)，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快。 sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指內(nèi)存工作需要同步時鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準 ddr、ddr2、ddr3都屬于sdram，ddr是double daterate的意思，三種指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，現(xiàn)在出了ddr4，也是同一系列 romTLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR