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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器（此處簡(jiǎn)稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫(xiě)周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲(chǔ)單元的讀寫(xiě)是以頁(yè)和塊為單位來(lái)進(jìn)行（一頁(yè)包含若干字節(jié)，若干頁(yè)則組成儲(chǔ)存塊， nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大，超過(guò) 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個(gè)，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤(pán)模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門(mén)的存儲(chǔ)控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無(wú)法修，性較 nor 閃存要差。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息，臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù)，號(hào)稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來(lái)看，三星這一次似乎有望實(shí)現(xiàn)反超。不過(guò)三星還沒(méi)有公布3nm工藝的訂單情況，臺(tái)積電則基本確認(rèn)，客戶會(huì)包括蘋(píng)果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺(tái)積電的工藝代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù)，要等待三年左右才能面世。回收瑞薩聲卡芯片回收PANASONICMCU電源IC 回收愛(ài)特梅爾芯片回收idtADAS處理器芯片回收NIKO-SEM尼克森DOP封裝芯片回收toshiba手機(jī)存儲(chǔ)芯片回收NXP電源監(jiān)控IC 回收kingbri隔離恒溫電源IC 回收東芝微控制器芯片回收PANASONIC路由器交換器芯片回收中芯SOP封裝IC 回收艾瓦特路由器交換器芯片回收atheros全新整盤(pán)芯片回收矽力杰電源監(jiān)控IC 回收IRSOP封裝IC 回收iwatte/dialog邏輯IC 回收NIKO-SEM尼克森aurix芯片回收MARVELLDOP封裝芯片回收ELITECHIP降壓恒溫芯片回收maxim/美信封裝QFP芯片回收ELITECHIP微控制器芯片回收SAMSUNG隔離恒溫電源IC 回收NS藍(lán)牙IC 回收PANASONIC穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰邏輯IC 回收GENESIS起源微開(kāi)關(guān)電源IC 回收RENESAS進(jìn)口IC 回收arvinSOP封裝IC 回收ST意法WIFI芯片回收矽力杰車充降壓IC 回收GENESIS起源微SOP封裝IC 回收iwatte/dialogWIFI芯片回收PANASONIC封裝sot23-5封裝芯片
