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根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息,臺(tái)積電也在研發(fā)3nm工藝,的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù),號(hào)稱與5nm工藝相比,晶體管密度將提高70 ,性能可提升11 ,或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來看,三星這一次似乎有望實(shí)現(xiàn)反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況,臺(tái)積電則基本確認(rèn),客戶會(huì)包括蘋果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等,貌似intel也有意尋求臺(tái)積電的工藝代工。臺(tái)積電預(yù)計(jì)將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù),要等待三年左右才能面世。 STB30NF20L STD105N10F7AG STD11N60DM2 STD13N65M2 STD80N10F7 STF10N60DM2 STF11N60DM2 STF18N60DM2 TPS2051BDBVR TPS65987DDHRSHR LMR16006YQ3DDCTQ1 TLV1701QDBVRQ1 SN74LVC2G14DCKR CSD18532Q5B TPS3823-33DBVR LM3478QMM/NOPB SN3257QPWRQ1 TLV73328PQDBVRQ1 SN74LVC1G125DCKR SN74LVC1G38DCKR LM5009AMM/NOPB TPS259573DSGR