25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電二、pcb制造pcb制造的技術(shù)水平和質(zhì)量水平，對電路板的性、信號傳整性有的影響。在pcb制造中，包括pcb制造商、軟件供應(yīng)商、材料供應(yīng)商、設(shè)備供應(yīng)商。
1、電路板制造供應(yīng)商2018年pcb供應(yīng)商的，現(xiàn)在有一些小的變動，但是也不太大，在pcb制造領(lǐng)域，我們國產(chǎn)替代的選擇還是有很多。我們主要分析一下的供應(yīng)商：
（1）深南電路pcb制造的企業(yè)，而且是國企，工藝技術(shù)能力行業(yè)，不管是電路板（5g、航天航空、工控、等），還是低端電路板（家用電器、汽車電子等等），都可以實(shí)現(xiàn)大批量生產(chǎn)，在ic封裝基板制造領(lǐng)域也是國內(nèi)當(dāng)之無愧的（目前封裝基板制造的就三家企業(yè)，深南電路、興森快捷、珠海越亞）。
（2）興森快捷
快捷樣板的企業(yè)，產(chǎn)品涵蓋低端到各個領(lǐng)域，工藝水平與深南電路有一定的差距，不過產(chǎn)品交付的速度在國內(nèi)處于水平。
2、軟件供應(yīng)商隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術(shù)的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術(shù)來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設(shè)計(jì)概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術(shù)。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術(shù)裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術(shù)。預(yù)計(jì)2012年進(jìn)入55nm制程，2013年進(jìn)入36nm制程，2015年進(jìn)入2xnm制程，制程進(jìn)度落后其他大廠甚多。  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進(jìn)一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術(shù)和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應(yīng)用進(jìn)度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設(shè)立的西安廠為主。其v-nand目標(biāo)直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進(jìn)行測試。  BAT48ZFILM STTH3R02AFY STTH8R06FP STTH112RL BAS70-06FILM STTH2R02UY STTH5L06B-TR STTH30R04G-TR STTH3R02RL STPS5L60 STPS640CB-TR STPS30H60CGY-TR STPS10H100CG-TR STPS0530Z STPS10M60SF STPS1230SF STPS1545FP STPS1545FP L9825TR ULN2002D1013TR SM4T35CAY