25小時在線 158-8973同步7035 可微可電電阻是應(yīng)用于各種電子設(shè)備的多的電阻類型，無論怎樣安裝，維修者都能方便的讀出其阻值，便于檢測和更換。但在實踐中發(fā)現(xiàn)，有些電阻的排列順序不甚分明，往往容易讀錯，在識別時，可運用如下技巧加以判斷：
技巧1：先找標(biāo)志誤差的，從而排定順序。常用的說電阻誤差的顏色是：金、銀、棕，尤其是金環(huán)和銀環(huán)，一般絕少用做電阻的環(huán)，所以在電阻上只要有金環(huán)和銀環(huán)，就可以基本認(rèn)定這是電阻的末一環(huán)。
技巧2：棕是否是誤差標(biāo)志的判別。棕既常用做誤差環(huán)，又常作為  數(shù)字環(huán)，且常常在環(huán)和末一環(huán)中同時出現(xiàn)，使人很難識別誰是環(huán)。在實踐中，可以按照之間的間隔加以判別：比如對于一個五道的電阻而言，  五環(huán)和  四環(huán)之間的間隔比環(huán)和環(huán)之間的間隔要寬一些，據(jù)此可判定的排列順序。
技巧3：在僅靠間距還無法判定順序的情況下，還可以利用電阻的生產(chǎn)序列值來加以判別。比如有一個電阻的讀序是：棕、黑、黑、黃、棕，其值為：100×10000=1MΩ誤差為1  ，屬于正常的電阻系列值，若是反順序讀：棕、黃、黑、黑、棕，其值為140×1Ω=140Ω，誤差為1  。顯然按照后一種排序所讀出的電阻值，在電阻的生產(chǎn)系列中是沒有的，故后一種順序是不對的。
東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預(yù)計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。  由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當(dāng)耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設(shè)備與儲存市場上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。  回收ti德州儀器封裝QFP芯片回收kingbri封裝SOP20芯片回收MICRON/美光封裝QFP144芯片回收WINBOND華邦發(fā)動機管理芯片回收atheros藍(lán)牙芯片回收ROHM升壓IC 回收INFINEON進口新年份芯片回收idesyn聲卡芯片回收Vincotech手機存儲芯片回收ST意法車充降壓IC 回收semtech汽車主控芯片回收maxim網(wǎng)卡芯片回收麗晶微降壓恒溫芯片回收艾瓦特網(wǎng)卡芯片回收toshiba網(wǎng)卡芯片回收海旭芯片回收賽靈思進口芯片回收VISHAY手機存儲芯片回收矽力杰進口新年份芯片回收WINBOND華邦MOS管場效應(yīng)管回收Marvell原裝整盤IC 回收INFINEON汽車主控芯片回收silergy計算機芯片回收NS隔離恒溫電源IC 回收ELITECHIP封裝QFP芯片回收maxim路由器交換器芯片回收PARADE譜瑞觸摸傳感器芯片回收MICRON/美光MOS管場效應(yīng)管回收ST意法封裝QFP144芯片回收飛思卡爾進口芯片回收atheros傳感器芯片回收東芝原裝整盤IC 回收瑞薩DOP封裝芯片回收idesyn穩(wěn)壓器IC 回收ELITECHIP穩(wěn)壓管理IC 回收HOLTEK合泰ADAS處理器芯片回收CJ長電汽車主控芯片回收idesyn封裝sot23-5封裝芯片回收silergy降壓恒溫芯片回收韋克威穩(wěn)壓管理IC 回收TAIYO/太誘芯片回收芯成原裝整盤IC 回收尚途sunto隔離恒溫電源IC 回收idt傳感器芯片回收韋克威進口IC 回收東芝電池充電管理芯片回收TAIYO/太誘ADAS處理器芯片回收GENESIS起源微進口芯片回收TAIYO/太誘進口IC