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這三款新放大器的雙向檢測功能允許用一個電流檢測電路測量正反電流，有助于設計人員縮減物料清單成本。新產品還適用于高低邊兩種連接配置，允許高低邊共用相同型號的器件，從而簡化庫存管理工作。
三款新產品的電源電壓均在2.7v-5.5v范圍內，進一步提高了應用靈。寬輸入電壓容差允許新產品在電源電壓下檢測從-20v至70v的共模電壓電流。新產品具有高增益帶寬乘積和快速壓擺率(tsc2010的兩項參數分別為820khz和7.5v/μs)，測量精度高。
三款新產品內部集成emi濾波器和2kv hbm(人體模型)的esd防護功能，器件抗擾能力強，可在-40°c至125°c的工業(yè)溫度范圍內工作。
這三款新產品還有配套的steval-aetkt1v2板，幫助設計人員快速啟動使用一款器件的開發(fā)項目， 產品上市時間。tsc2010、tsc2011和tsc2012目前采用mini-so8和so8兩種封裝。
sram是靜態(tài)（s指的static）ram，靜態(tài)指的不需要刷新電路，數據不會丟失，sram速度非?？?，是目前讀寫快的存儲設備了。 dram是動態(tài)ram，動態(tài)指的每隔一段時間就要刷新一次數據，才能保存數據，速度也比sram慢，不過它還是比的rom都要快。 sdram是同步（s指的是synchronous）dram，同步是指內存工作需要同步時鐘，內部的命令的發(fā)送與數據的傳輸都以它為基準 ddr、ddr2、ddr3都屬于sdram，ddr是double daterate的意思，三種指的是同一系列的三代，速度更快，容量更大，功耗更小，現在出了ddr4，也是同一系列 romADS1246IPWR TS5A4624DCKT TS5A4624DCKR TS5A3157DBVR TS5A3159ADBVT TS5A9411DCKT LMP8645HVMKE/NOPB INA168NA/3K TPS22944DCKR LM2664M6X/NOPB TPS22904YFPT TPS2559DRCR TPS22944DCKR LPC1112FHN33/102 LPC1343FHN33 FSEZ1317MY LMH6643MAX AD7541AKR HEF4013BP ADM213EARSZ LTC7510EUH NCP6336BFCCT1G