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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲器（此處簡稱閃存）的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點是nvm，其記錄速度也非?？臁?br />
intel是上個生產(chǎn)閃存并將其投放市場的公司。1988年，公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個錄音機里，intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項技術(shù)，并擁有一個sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制，并被認為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ，它的保存與刪除處理的速度也相對較快。nand的存儲單元只有nor的一半，在更小的存儲空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲卡上。
nand 閃存的存儲單元采用串行結(jié)構(gòu)，存儲單元的讀寫是以頁和塊為單位來進行（一頁包含若干字節(jié)，若干頁則組成儲存塊， nand 的存儲塊大小為 8 到 32kb ），這種結(jié)構(gòu)大的點在于容量可以做得很大，超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當普遍， nand 閃存的成本較低，有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點在于讀速度較慢，它的 i/o 端口只有 8 個，比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個 i/o 端口只能以信號輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送，速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu)，內(nèi)部不存在專門的存儲控制器，一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修，性較 nor 閃存要差。
根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈的消息，臺積電也在研發(fā)3nm工藝，的是新工藝仍將采用finfet立體晶體管技術(shù)，號稱與5nm工藝相比，晶體管密度將提高70 ，性能可提升11 ，或者功耗降低27 。從紙面參數(shù)來看，三星這一次似乎有望實現(xiàn)反超。不過三星還沒有公布3nm工藝的訂單情況，臺積電則基本確認，客戶會包括蘋果、amd、nvidia、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等，貌似intel也有意尋求臺積電的工藝代工。臺積電預計將在2nm芯片上應(yīng)用gaafet技術(shù)，要等待三年左右才能面世。 TLP7820(TP4,E(O TC4424AVPA FP75R12KT3 AD5228BUJZ10-RL7 AD5259BRMZ10-R7 AD5162BRMZ10 AD7691BRMZ ADS7822E/2K5 ADG704BRMZ ADE7953ACPZ ADG884BRMZ SY7301AADC SY8009BABC OB2225NCPA OB3330XCPA OB3636AMP SY8201ABC SY8113IADC SY6301DSC SGM2019-ADJYN5G/TR SGM4917AYTQ16G/TR SY8089A1AAC SY7208CABC SY7072AABC SGM9114YN6G/TR SGM9113YC5G