25小時(shí)在線 158-8973同步7035 可微可電 6:電容的識(shí)別(1)、貼片電容有:貼片鉭電容、貼片瓷片容、 紙多層貼片電容、貼片電解電容。貼片瓷片電容:體積小，無(wú) 性，無(wú)絲印?；締挝籶f紙多層貼片電容:與貼片瓷片電容基本相同，材質(zhì)紙質(zhì)?；締挝?為pf,但此電容容量一般在uf級(jí)。
貼片電解電容:絲印印有容量、耐壓和 性標(biāo)示。其基本單位為f。
7:電感元件的識(shí)別常見(jiàn)貼片元件尺寸規(guī)范介紹
在貼片元件的尺寸上為了讓所有廠家生產(chǎn)的元件之間有 的通用性，上各大廠家進(jìn)行了尺寸要求的規(guī)范工作，形成了相應(yīng)的尺寸系列。其中在不同采用不同的單位基準(zhǔn)主要有公制和英制，對(duì)應(yīng)關(guān)系如下表:
注:1)此處的0201表0.02x0.01inch,其他相同;
2)在材料中還有其它尺寸規(guī)格例如:0202 、0303、0504、1808、1812、2211、2220等等，但是在實(shí)際使用中使用范圍并不廣泛所以不做介紹。
3)對(duì)于實(shí)際應(yīng)用中各種對(duì)尺寸的稱呼有所不同，一般情況下使用英制單位稱呼為多，例如一般我們?cè)诠ぷ髦袝?huì)說(shuō)用的是0603的電容，也有時(shí)使用公制單位例如說(shuō)用1608的電容此時(shí)使用的就是公制單位 。
5東芝（toshiba）以2009年開(kāi)發(fā)的bics—3d nand flash技術(shù)，從2014年季起開(kāi)始小量試產(chǎn)，目標(biāo)在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術(shù)的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴(kuò)建計(jì)劃預(yù)計(jì)2014年q3完工，q3順利進(jìn)入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營(yíng)，也明確宣告各自3d nand flash的藍(lán)圖將接棒16 ，計(jì)劃于2014年q2送樣測(cè)試，快于年底量產(chǎn)。  由于3d nand flash存儲(chǔ)器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長(zhǎng)時(shí)間，且在應(yīng)用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗(yàn)證流程上也相當(dāng)耗時(shí)，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對(duì)整個(gè)移動(dòng)設(shè)備與儲(chǔ)存市場(chǎng)上的替代效應(yīng)，在明年底以前應(yīng)該還看不到。  TLV803SDBZR TPS3808G01DBVR TPS563201DDCR TLV70233DBVR TLV70233DBVR MP24894GJ-Z OPA333AIDCKR INA199A3DCKR LM2904VQDRQ1 LM258ADR LM224ADR TLV3011AIDCKT TS27M4CDT NCV20072DR2G TPS79625DCQR TPS79601DCQR REG1117A-2.5 UPC24M06AHF-AZ ADP3339AKCZ-3-RL7 LM2937IMPX-12/NOPB TPS64203DBVT TL1963A-18DCQR INA2180A1IDGKR TLV62569PDDCR TPS2546RTER ACFM-2113-TR1 TPS79901QDRVRQ1 MP1601CGTF-Z MP1658GTF-Z MP1662GTF-Z TCA9535RTWR TXS0108ERGYR BQ25619RTWR DRV8835DSSR TPS54335ADDAR