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25小時在線 158-8973同步7035 可微可電所有flash器件都受位交換現(xiàn)象的困擾。在某些情況下(很少見,nand發(fā)生的次數(shù)要比nor多),一個比特位會發(fā)生反轉或被反轉了。
一位的變化可能不很明顯,但是如果發(fā)生在一個關鍵文件上,這個小小的故障可能導致系統(tǒng)停機。如果只是有問題,多讀幾次就可能解決了。
當然,如果這個位真的改變了,就 采用錯誤探測/錯誤更正(edc/ecc)算法。位反轉的問題 見于nand閃存,nand的供應商建議使用nand閃存的時候,同時使用edc/ecc算法。
這個問題對于用nand存儲多媒體時倒不是致命的。當然,如果用本地存儲設備來存儲操作系統(tǒng)、配置文件或其他時, 使用edc/ecc系統(tǒng)以性。
壞塊處理
nand器件中的壞塊是隨機分布的。以前也曾有過壞塊的努力,但發(fā)現(xiàn)成品率太低,代價太高,不劃算。
nand器件需要對介質進行初始化掃描以發(fā)現(xiàn)壞塊,并將壞塊標記為不可用。在已制成的器件中,如果通過的方法不能進行這項處理,將導致高故障率。
軟件支持
當討論軟件支持的時候,應該區(qū)別基本的讀/寫/擦操作和高的用于磁盤和閃存管理算法的軟件,包括性能化。
在nor器件上運行代碼不需要的軟件支持,在nand器件上進行同樣操作時,通常需要驅動程序,也就是內(nèi)存技術驅動程序(mtd),nand和nor器件在進行寫入和擦除操作時都需要mtd。
使用nor器件時所需要的mtd要相對少一些,許多廠商都提供用于nor器件的更軟件,這其中包括m-system的trueffs驅動,該驅動被wind river system、microsoft、qnx software system、symbian和intel等廠商所采用。
在一些非揮發(fā)性存儲器如相變存儲器（phase-change memory；pcm）、磁阻存儲器（ resistive memory；m-ram）、電阻存儲器（resistive memory；rram）等技術已蓄勢待發(fā)、即將邁向商業(yè)量產(chǎn)門檻之際，ddr4將可能是末代的ddr存儲器，屆時電腦與軟體結構將會出現(xiàn) 為劇烈的變動。 nand flash逼近制程物理以提升容量密度 以浮閘式（floating gate）半導體電路所設計的nand flash非揮發(fā)性存儲器，隨著flash制程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的情況下，已經(jīng)在智慧手機、嵌入式裝置與工控應用上大量普及。 OPA4197IPWR TPS23861PWR TLC59116IRHBR LM217MDT-TR TDA7377 M24C64-FMC6TG M95010-WMN6TP L78M08ABDT-TR L7812ABV LM2901YDT L78L12ABD-TR LF33CV SM2T3V3A STBP120AVDK6F LF33CDT-TR DA112S1RL HSP061-4M10 M95160-WMN6TP VN7050AJTR