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東芝公司的發(fā)明人舛岡富士雄首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡稱閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同,閃存的特點(diǎn)是nvm,其記錄速度也非???。
intel是上個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年,公司推出了一款256k bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小,并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里,intel發(fā)明的這類閃存被統(tǒng)稱為nor閃存。它結(jié)合eprom和eeprom兩項(xiàng)技術(shù),并擁有一個(gè)sram接口。
種閃存稱為nand閃存。它由日立公司于1989年研制,并被認(rèn)為是nor閃存的理想替代者。nand閃存的寫周期比nor閃存短90 ,它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。nand的存儲(chǔ)單元只有nor的一半,在更小的存儲(chǔ)空間中nand獲得了的性能。鑒于nand的表現(xiàn),它常常被應(yīng)用于諸如compactflash、smartmedia、 sd、 mmc、 xd、&pc cards、usb sticks等存儲(chǔ)卡上。
nand 閃存的存儲(chǔ)單元采用串行結(jié)構(gòu),存儲(chǔ)單元的讀寫是以頁和塊為單位來進(jìn)行(一頁包含若干字節(jié),若干頁則組成儲(chǔ)存塊, nand 的存儲(chǔ)塊大小為 8 到 32kb ),這種結(jié)構(gòu)大的點(diǎn)在于容量可以做得很大,超過 512mb 容量的 nand 產(chǎn)品相當(dāng)普遍, nand 閃存的成本較低,有利于大規(guī)模普及。
nand 閃存的缺點(diǎn)在于讀速度較慢,它的 i/o 端口只有 8 個(gè),比 nor 要少多了。這區(qū)區(qū) 8 個(gè) i/o 端口只能以信號(hào)輪流傳送的方式完成數(shù)據(jù)的傳送,速度要比 nor 閃存的并行傳輸模式慢得多。再加上 nand 閃存的邏輯為電子盤模塊結(jié)構(gòu),內(nèi)部不存在專門的存儲(chǔ)控制器,一旦出現(xiàn)數(shù)據(jù)壞塊將無法修,性較 nor 閃存要差。
電源類電子元器件,如電源ic、mos管、電解電容、鉭電容、電源成品、igbt模塊、ups主控mcu、dsp、電源板等。 家電類電子元器件,如家電ic、mcu、單片機(jī)、繼電器、電解電容、mos管、ibgt等。 工控類電子元器件,如工控ic、dsp、單片機(jī)、硬盤等。 安防類電子元器件,如安防ic、ccd、感光芯片、ov芯片、鎂光芯片、及組件、主控等 汽車電子類電子元器件,如mcu、dsp、驅(qū)動(dòng)芯片、單片機(jī)、內(nèi)存flash、液晶屏、wifi模塊、收音模塊、藍(lán)牙芯片、csr芯片、藍(lán)牙模塊等 MAX5441BEUA SSM2167-1RMZ FAN5236QSCX RT9181CB AD5160BRJZ100 AD5171BRJZ100 AD5165BUJZ100 AD5235BRUZ25 AD5308ARUZ-REEL7 AD5280BRUZ20 ADP8860ACPZ RT9801BPE ADP3331ARTZ ADR381ARTZ ADL5315ACPZ EL7536IYZ-T7 MAX1879EUA+ MAX6138AEXR25+T LTM4600EV#PBF A3240ELHLT AD7740YRTZ AD7441BRTZ