搜產(chǎn)品
搜企業(yè)
客服電話:13631151688
廣告
25小時在線 158-8973同步7035 可微可電回收pixelplus派視爾芯片、回收sunplus凌陽芯片、回收nextchip芯片、回收soinc晶相芯片、回收richtek立锜芯片、回收simcon芯訊通芯片、回收jorjin佐臻芯片、回收generalplus凌通芯片、回收dialog戴樂格芯片、回收nordic芯片、回收nxp恩智浦芯片、回收bosch博世芯片、回收st意法芯片、回收infineon英飛凌芯片、回收jrc芯片、回收sony索尼芯片、回收toshiba東芝芯片等隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。 三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。 回收Vincotech進口IC 回收GENESIS起源微DOP封裝芯片回收威世集成電路芯片回收億盟微MOS管回收beiling全新整盤芯片回收silergyWIFI芯片回收PANASONIC封裝QFP芯片回收semtech藍牙芯片回收ti德州儀器網(wǎng)口IC芯片回收LINEAR進口IC 回收麗晶微電源管理IC 回收INTERSILMOS管回收kerost音頻IC 回收INTERSIL穩(wěn)壓管理IC 回收Xilinx聲卡芯片回收IRMCU電源IC 回收尚途sunto微控制器芯片回收ncs封裝sot23-5封裝芯片回收kerost降壓恒溫芯片回收ti德州儀器封裝SOP20芯片回收VISHAY原裝整盤IC 回收IR網(wǎng)口IC芯片回收ST意法藍牙芯片回收kingbri手機存儲芯片