7N60-ASEMI高壓MOS管7N60

作者：深圳市強元芯電子有限公司來源：asemi888 發(fā)布時間：2022-06-18 瀏覽：55

編輯：ll

型號：7N60

品牌：ASEMI

封裝：TO-220AB

漏源電流：7A

漏源擊穿電壓：600V

RDS（ON）Max：1.2Ω

引腳數(shù)量：3

溝道類型：N溝道MOS管

芯片尺寸：MIL

漏電流：

恢復時間：5ns

芯片材質：

封裝尺寸：如圖

特性：高壓MOS管

工作結溫：-55℃~150℃

7N60場效應管

7N60的電性參數(shù)：漏源電流7A；漏源擊穿電壓600V

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