MBR10100FCT-ASEMI標(biāo)準(zhǔn)高壓肖特基二極管

作者：深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司來源：asemi888 發(fā)布時(shí)間：2022-03-10 瀏覽：111

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型號(hào)：MBR10100FCT

品牌：ASEMI

封裝：TO-220AB

正向電流：10A

反向耐壓：100V

浪涌電流：120A

引腳數(shù)量：3

芯片個(gè)數(shù)：2

芯片尺寸：86MIL

漏電流：20uA

芯片材質(zhì)：

封裝尺寸：如圖

特性：超薄扁橋

工作溫度：-55℃~+150℃

肖特基二極管概念

肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此，SBD也稱為金屬－半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

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