TPS65217CRSLR回收電源管理IC   181+2470一起1558 微芯同號   隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。
  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結構，單一芯片可以集結、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。
  東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術的flash產品。為了后續(xù)3d nand flash的量產鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產。
  由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。
  移動設備的快閃存儲器容量、速率進展
  移動設備所需要的gb儲存容量，據(jù)估計每部手機搭配的nand flash容量，將從2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb；每部平板電腦搭配nand flash容量，從28.7gb增加到2015年的96.1gb。
  emmc（embedded multimedia card）是jedec協(xié)的儲存媒體規(guī)范，其藉由將mmc controller跟nand flash封裝成一顆芯片的方式，移動設備無須顧慮著nand flash制程與規(guī)格的改變，與新世代nand flash搭配的快閃存儲器控制芯片與韌體的搭配，進而簡化體積與電路設計。2013年有4.5億部移動設備均使用emmc。
  而universal flash storage（ufs）將以往emmc安、低功耗、小尺寸封裝的應用， 目前ssd所使用到的高速串列介面技術，目前ufs 1.1規(guī)格傳輸速率達到3gbps，未來ufs 2.0將可進一步達到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也無法相容，相關產業(yè)供應鏈尚未齊，整個產業(yè) 尚未建立，ufs產品預估2014年才有小量產品出現(xiàn)在市面上，且因成本因素會瞄準在市場，ufs與emmc兩者屆時會并存在市場上一陣子。