回收手機字庫181-2470

      同步 -1558  ddr4以前瞻性的高傳輸速率、v- 低功耗與更大記憶容量，在2014年下半將導入英特爾工作站／伺服器以及桌上型電腦平臺，并與lp-ddr3存儲器將同時存在一段時間；至于nand flash快閃存儲器也跨入1x 制程，mlc將以islc/eslc自砍容量一半的方式，提升可抹寫次數(shù)（program erase；p/e）來搶占要求耐受度的軍方與工控市場，而c/p值高的tlc從隨碟、記憶卡的應用導向低端ssd…
  ddr4伺服器先行 2016ddr3成為主流
  處理器（cpu）、繪圖芯片（gpu）運算效能隨摩爾定律而飛快進展，加上云端運算、網(wǎng)際網(wǎng)路行動化浪潮下，持續(xù)驅(qū)動動態(tài)存儲器（dynamic ram；dram）的規(guī)格進化。從非同步的dip、edo dram，到邁向同步時脈操作的sdram開始，以及訊號上下緣觸發(fā)的ddr/ddr2/ddr3/ddr4存儲器，甚至導入20 與新型態(tài)的wide i/o介面以降低訊號腳位數(shù)與整體功耗。
  處理器速度與云端運算持續(xù)驅(qū)動動態(tài)存儲器規(guī)格的演變，從dip、edo、sdram到ddr/ddr2/ddr3/ddr4。samsung/micron/intel

 ddr4較以往不同的是改采vddq的終端電阻設計，v- 目前計劃中的傳輸速率進展到3，200mbps，比目前高速的ddr3-2133傳輸速率快了50 ，將來不排除直達4，266mbps；bank數(shù)也大幅增加到16個（x4/x8）或8個（x16/32），這使得采x8設計的單一ddr4存儲器模組，容量就可達到16gb容量。
  而ddr4運作電壓僅1.2v，比ddr3的1.5v低了至少20 ，也比ddr3l的1.35v還低，更比目前x86 ultrabook/tablet使用的低功耗lp-ddr3的1.25v還要低，再加上ddr4一次支援 省電技術（deep power down），進入休眠模式時無須更新存儲器，或僅直接更新dimm上的單一存儲器顆粒，減少35 ~50 的待機功耗。
  將來邁入20 制程時，會導入3d立體堆疊加矽鉆孔（3d stacks+tsv）封裝技術，以及針對繪圖芯片、移動設備提出低腳位數(shù)的wide i/o，來提升dram存儲器單位容量與頻寬。
  英特爾將分別把ddr4規(guī)格導入伺服器／工作站平臺，以及桌上型電腦平臺（high-end desktop；hedt）。前者是伺服器處理器xeon e5-2600處理器（代號haswell-ep），搭配的ddr4存儲器為2，133mbps（ddr4-2133）；后者則是預定 三季推出的8intel core i7 extreme edition處理器，同樣搭配ddr4-2133存儲器，以及支援14組usb 3.0、10組sata6gbps的x99芯片組，成為2014 4季至2015年上半年英特爾的桌上型電腦平臺組合。
  而超微（amd）下一代apu（代號carrizo）已至2015年登場，但其存儲器支援性仍停留在ddr3。至于移動設備部份，安謀（arm）針對伺服器市場打造的64位元cortex-a57處理器，已預留對ddr4存儲器支援，而 三方ip供應商也提供了相關的ddr4 phy ip。
  三星于2013年底量產(chǎn)20 制程的4gb存儲器顆粒，將32gb的存儲器推向伺服器市場；2014年1月推出移動設備用的低功耗ddr4（lp-ddr4）。sk海力士在2014年4月借助矽鉆孔（tsv）技術，開發(fā)出單一ddr4芯片外觀、容量達128gb。市場預料ddr4將與ddr3（ddr3l、lp-ddr3）等共存一段時間，預計到2016年才會ddr3而成為市場主流。

隨著采用傳統(tǒng)2d平面制程技術的nand flash即將nand flash大廠紛紛開始采用3d堆疊制程技術來增加密度。旺宏（macronix）在2006年提出multi tft（thin film transistor）的堆疊nand設計概念，同年samsung也發(fā)表stacked nand堆疊式快閃存儲器，2007年東芝發(fā)表bics，2009年東芝發(fā)表p-bics、三星發(fā)表tcat、vg-nand與vsat，2010年旺宏發(fā)表vg tft，2011發(fā)表pnvg tft，同年hynix也發(fā)表hybrid 3d技術。2010年vlsi研討會，旺宏公布以75 制程，tft be-sonos制程技術裝置的vg（垂直閘） 3d nand技術。預計2012年進入55nm制程，2013年進入36nm制程，2015年進入2xnm制程，制程進度落后其他大廠甚多。
  三星（samsung）同樣于2006年發(fā)表stacked nand，2009年進一步發(fā)表垂直通道tcat與水平通道的vg-nand、vsat。2013年8月，三星發(fā)布名為v-nand的3d nand flash芯片，采用基于3d ctf（charge trap flash）技術和垂直堆疊單元結(jié)構(gòu)，單一芯片可以集結(jié)、堆疊出128 gb的容量，比目前20nm平面nand flash多兩倍，性、寫入速度也比20nm制程nand flash還高。三星目前在3d-nand flash應用進度其他業(yè)者，v-nand制造基地將以韓國廠與新設立的西安廠為主。其v-nand目標直接揮軍伺服器等級固態(tài)硬碟，從2013年 四季開始，陸續(xù)送樣給伺服器業(yè)者或是資料 制造商進行測試。
  東芝（toshiba）以2009年開發(fā)的bics—3d nand flash技術，從2014年季起開始小量試產(chǎn)，目標在2015年前順利銜接現(xiàn)有1y、1z 技術的flash產(chǎn)品。為了后續(xù)3d nand flash的量產(chǎn)鋪路，東芝與新帝（sandisk）合資的日本三重縣四日市晶圓廠，期工程擴建計劃預計2014年q3完工，q3順利進入規(guī)?；a(chǎn)。而sk海力士與美光（micron）、英特爾（intel）陣營，也明確宣告各自3d nand flash的藍圖將接棒16 ，計劃于2014年q2送樣測試，快于年底量產(chǎn)。
  由于3d nand flash存儲器的制造步驟、工序以及生產(chǎn)良率的提升，要比以往2d平面nand flash需要更長時間，且在應用端與主芯片及系統(tǒng)整合的驗證流程上也相當耗時，故初期3d nand flash芯片將以少量生產(chǎn)為主，對整個移動設備與儲存市場上的替代效應，在明年底以前應該還看不到。
  移動設備的快閃存儲器容量、速率進展
  移動設備所需要的gb儲存容量，據(jù)估計每部手機搭配的nand flash容量，將從2012年5.5gb增加到2015年的25.1gb；每部平板電腦搭配nand flash容量，從28.7gb增加到2015年的96.1gb。
  emmc（embedded multimedia card）是jedec協(xié)的儲存媒體規(guī)范，其藉由將mmc controller跟nand flash封裝成一顆芯片的方式，移動設備無須顧慮著nand flash制程與規(guī)格的改變，與新世代nand flash搭配的快閃存儲器控制芯片與韌體的搭配，進而簡化體積與電路設計。2013年有4.5億部移動設備均使用emmc。
  而universal flash storage（ufs）將以往emmc安、低功耗、小尺寸封裝的應用， 目前ssd所使用到的高速串列介面技術，目前ufs 1.1規(guī)格傳輸速率達到3gbps，未來ufs 2.0將可進一步達到6gbps。因ufs跟既有的emmc介面迥然不同也無法相容，相關產(chǎn)業(yè)供應鏈尚未齊，整個產(chǎn)業(yè) 尚未建立，ufs產(chǎn)品預估2014年才有小量產(chǎn)品出現(xiàn)在市面上，且因成本因素會瞄準在市場，ufs與emmc兩者屆時會并存在市場上一陣子。