隨著iPhone12的正式開(kāi)售，不再標(biāo)配耳機(jī)和充電器，沒(méi)有標(biāo)配的充電器，對(duì)于充電器廠(chǎng)商來(lái)說(shuō)，這也是一個(gè)商機(jī)，iPhone 12發(fā)布之后，各大平臺(tái)充電器的需求暴漲，國(guó)內(nèi)的充電器廠(chǎng)商出現(xiàn)供不應(yīng)求，驪微電子推出基于PN8162+PN8307H超精簡(jiǎn)小體積PD 20W快充方案！

PN8162內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET，專(zhuān)用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源，該芯片提供了極為全面和性能優(yōu)異的保護(hù)功能，包括輸出過(guò)壓保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)、輸入欠壓保護(hù)功能。通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。

PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8307H內(nèi)置電壓降極低的功率MOSFET以提高電流輸出能，提升轉(zhuǎn)換效率，使得系統(tǒng)效率可以滿(mǎn)足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn)，并留有足夠的裕量。PN8307H集成了極為全面的輔助功能，包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開(kāi)啟、導(dǎo)通時(shí)間等功能。

PD 20W快充方案亮點(diǎn)

★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307Ｈ均實(shí)現(xiàn)功率集成，得益于專(zhuān)利智能 MOS 技術(shù)，節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)電阻等多顆外圍，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm；

★ PN8162 采用 PDFN 專(zhuān)用功率封裝，相比傳統(tǒng) SOP8，封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W，顯著提高充電器功率密度；單邊 drain 腳位，高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm，安全可靠；

★ PN8162 采用負(fù)載自適應(yīng)谷底開(kāi)通技術(shù)，徹底解決小體積充電器開(kāi)關(guān)干擾源至 LN 線(xiàn)位移電流帶來(lái)的傳導(dǎo)難題，EMC 裕量大于 6dB；

★ PN8162 工作強(qiáng)制 DCM 模式，從而保證工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以?xún)?nèi)，60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足，進(jìn)而降低整體方案成本；

★ PN8162 內(nèi)置輸入欠壓保護(hù)，通過(guò) DMG 監(jiān)控市電，防止市低壓工作導(dǎo)致電源異常；

★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電，在 3-12V 輸出電壓范圍內(nèi)無(wú)需外部 LDO；

★ PN8162 內(nèi)置線(xiàn)電壓補(bǔ)償，根據(jù)市電自動(dòng)調(diào)整內(nèi)部峰值電流參考，全電壓范圍 OCP 精度在 10%以?xún)?nèi)；

★ HUSB339B 協(xié)議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。

20W PD快充方案采用了高集成的芯片PN8162+PN8307H，PCBA 尺寸：28mm*28mm*24mm支持12V1.67A;9V2.22A;5V3A 輸出，內(nèi)置了mos電源芯片及快充芯片，方案體積十分小巧，限度的減少了芯片外圍器件的數(shù)量，降低PCB板的占用面積，高密度20W PD快充方案，競(jìng)爭(zhēng)力優(yōu)勢(shì)明顯，更多PD 20W快充方案原理圖，電源輸入輸出規(guī)格，BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測(cè)試數(shù)據(jù)等資料，可向驪微電子申請(qǐng)。>>