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SYM601-ASEMI小功率MOS管?1A 600V

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時間:2020-11-18 瀏覽:238
SYM601-ASEMI小功率MOS管?1A 600V

編輯:LL

SYM601-ASEMI小功率MOS管1A 600V

ASEMI品牌 MOS管 SYM601 600V MOSFET

型號:SYM601

封裝:SOT-89

漏極電流(VDS):1A

漏源電壓(ID):600V

工作溫度:-55℃~150℃

封裝形式:貼片

種類:場效應(yīng)晶體管/MOSFET/MOS管

品牌:ASEMI

MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中,這個電場使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負(fù)電位。

鄭重聲明:資訊 【SYM601-ASEMI小功率MOS管?1A 600V】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫www.cqwqw.cn)證實(shí),請讀者僅作參考,并請自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請你提供相關(guān)證明及申請并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會盡快處理。
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