GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆-L
型號(hào):GBL406
品牌:ASEMI
封裝:GBL-4
特性:整流扁橋
電性參數(shù):4A 600V
芯片材質(zhì):GPP
正向電流(Io):4A
芯片個(gè)數(shù):4
正向電壓(VF):1.10V
芯片尺寸:50
浪涌電流Ifsm:60A
漏電流(Ir):5uA
工作溫度:-55~+150℃
恢復(fù)時(shí)間(Trr):500ns
引線數(shù)量:4
氮化鎵相比傳統(tǒng)充電器,它有哪些優(yōu)勢(shì)?
1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多,這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片,從而可以更快地進(jìn)行處理,充電更快。
2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比,禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作,能承載更高的能量密度,可靠性高,能夠?qū)⑦^度充電的可能性最小化。