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?GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆

作者:深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 來源:asemi888 發(fā)布時(shí)間:2020-08-19 瀏覽:223
?GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆

GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆-L

型號(hào):GBL406

品牌:ASEMI

封裝:GBL-4

特性:整流扁橋

電性參數(shù):4A 600V

芯片材質(zhì):GPP

正向電流(Io):4A

芯片個(gè)數(shù):4

正向電壓(VF):1.10V

芯片尺寸:50

浪涌電流Ifsm:60A

漏電流(Ir):5uA

工作溫度:-55~+150℃

恢復(fù)時(shí)間(Trr):500ns

引線數(shù)量:4

氮化鎵相比傳統(tǒng)充電器,它有哪些優(yōu)勢(shì)?

1、充電效率高。氮化鎵的帶隙比硅高得多,這意味著它可以隨時(shí)間傳導(dǎo)更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比硅更快地流過GaN制成的芯片,從而可以更快地進(jìn)行處理,充電更快。

2、散熱快。氮化鎵與前兩代的半導(dǎo)體相比,禁帶寬度大、導(dǎo)熱系數(shù)更高。而且可在200以上的高溫下工作,能承載更高的能量密度,可靠性高,能夠?qū)⑦^度充電的可能性最小化。


鄭重聲明:資訊 【?GBL406/GBL408/GBL410_ASEMIl氮化鎵快充橋堆】由 深圳市強(qiáng)元芯電子有限公司 發(fā)布,版權(quán)歸原作者及其所在單位,其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)(企業(yè)庫(kù)www.cqwqw.cn)證實(shí),請(qǐng)讀者僅作參考,并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。若本文有侵犯到您的版權(quán), 請(qǐng)你提供相關(guān)證明及申請(qǐng)并與我們聯(lián)系(qiyeku # qq.com)或【在線投訴】,我們審核后將會(huì)盡快處理。
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