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AO3415-ASEMI中低壓P溝道MOS管AO3415
型號：AO3415
品牌：ASEMI
封裝：SOT-23
漏源電流：-4.0A
漏源擊穿電壓：-20V
批號：最新
RDS（ON）Max：0.06Ω
引腳數(shù)量：3
溝道類型：P溝道MOS管
芯片尺寸：MIL
漏電流：
恢復時間：5ns
芯片材質(zhì)：
封裝尺寸：如圖
特性：中低壓MOS管、P溝道MOS管
工作結(jié)溫：-55℃~150℃
AO3415場效應管
AO3415的電性參數(shù)：漏源電流-4.0A；漏源擊穿電壓-20V
特征：
低固有電容。
出色的開關特性。
擴展安全操作區(qū)域。
無與倫比的柵極電荷：Qg=75 nC（典型值）。
BVDSS=-20V，Id=-4.0A
RDS（開）:0.06? （值）@VG=-2.5V
